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等離子體發(fā)生器和MRI系統(tǒng)及頻率1.5GHz的電子和雷達(dá)設(shè)備

發(fā)布時間:2021/10/17 18:55:43 訪問次數(shù):728

高溫性能的非絕緣的單列直插(SIP)的DC/DC轉(zhuǎn)換器DV/DH系列,有垂直和水平安裝兩種。

它的滿負(fù)荷工作溫度達(dá)到85度C,效率高達(dá)95%。其它這種類型的轉(zhuǎn)換器在這樣的溫度范圍時僅為它的一半。

該轉(zhuǎn)換器適用于DPA應(yīng)用,輸入電壓為3.0-5.5V,單一輸出電壓從0.7 到3.3V,輸出功率從3A到7A。其它特性還有遙控傳感,輸出使能和輸出電壓調(diào)節(jié)。

以往藍(lán)牙模塊因天線尺寸縮小不易,往往使得模塊尺寸偏大,或者必須外接天線。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-263-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V

Id-連續(xù)漏極電流: 30 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 125 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 3.5 V

Qg-柵極電荷: 96 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 219 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: CoolMOS

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

商標(biāo): Infineon Technologies

配置: Single

下降時間: 7 nS

高度: 4.4 mm

長度: 10 mm

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時間: 12 ns

系列: CoolMOS C6

工廠包裝數(shù)量: 1000

子類別: MOSFETs

晶體管類型: 1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時間: 83 nS

寬度: 9.25 mm

零件號別名: SP000687456 IPB6R125C6XT IPB60R125C6ATMA1

單位重量: 4 g

IDCH系列產(chǎn)品的輸出功率在8W-300W之間,適用于頻率最高4GHz的工業(yè)、科學(xué)、醫(yī)療、衛(wèi)星、航空電子和雷達(dá)設(shè)備.

IDDE系列包含10W-700W產(chǎn)品,用于最高頻率1.5GHz的商業(yè)、工業(yè)和科學(xué)寬帶通信設(shè)備.

IDEV系列適合最高頻率250MHz的工業(yè)、科學(xué)、醫(yī)療應(yīng)用,包括驅(qū)動大功率CO2激光器、等離子體發(fā)生器和MRI系統(tǒng),以及最高頻率1.5GHz的航空電子和雷達(dá)設(shè)備.

使用集成天線封裝(AoP, Antenna on Package) 以及局部覆膜式屏蔽技術(shù)(Selected Conformal Shielding),將藍(lán)牙和天線整合在一起,尺寸縮小到比一顆BGA封裝的集成電路(IC)還小。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

高溫性能的非絕緣的單列直插(SIP)的DC/DC轉(zhuǎn)換器DV/DH系列,有垂直和水平安裝兩種。

它的滿負(fù)荷工作溫度達(dá)到85度C,效率高達(dá)95%。其它這種類型的轉(zhuǎn)換器在這樣的溫度范圍時僅為它的一半。

該轉(zhuǎn)換器適用于DPA應(yīng)用,輸入電壓為3.0-5.5V,單一輸出電壓從0.7 到3.3V,輸出功率從3A到7A。其它特性還有遙控傳感,輸出使能和輸出電壓調(diào)節(jié)。

以往藍(lán)牙模塊因天線尺寸縮小不易,往往使得模塊尺寸偏大,或者必須外接天線。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-263-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V

Id-連續(xù)漏極電流: 30 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 125 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 3.5 V

Qg-柵極電荷: 96 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 219 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: CoolMOS

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

商標(biāo): Infineon Technologies

配置: Single

下降時間: 7 nS

高度: 4.4 mm

長度: 10 mm

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時間: 12 ns

系列: CoolMOS C6

工廠包裝數(shù)量: 1000

子類別: MOSFETs

晶體管類型: 1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時間: 83 nS

寬度: 9.25 mm

零件號別名: SP000687456 IPB6R125C6XT IPB60R125C6ATMA1

單位重量: 4 g

IDCH系列產(chǎn)品的輸出功率在8W-300W之間,適用于頻率最高4GHz的工業(yè)、科學(xué)、醫(yī)療、衛(wèi)星、航空電子和雷達(dá)設(shè)備.

IDDE系列包含10W-700W產(chǎn)品,用于最高頻率1.5GHz的商業(yè)、工業(yè)和科學(xué)寬帶通信設(shè)備.

IDEV系列適合最高頻率250MHz的工業(yè)、科學(xué)、醫(yī)療應(yīng)用,包括驅(qū)動大功率CO2激光器、等離子體發(fā)生器和MRI系統(tǒng),以及最高頻率1.5GHz的航空電子和雷達(dá)設(shè)備.

使用集成天線封裝(AoP, Antenna on Package) 以及局部覆膜式屏蔽技術(shù)(Selected Conformal Shielding),將藍(lán)牙和天線整合在一起,尺寸縮小到比一顆BGA封裝的集成電路(IC)還小。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

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