高性能 SSOP封裝的20V和40V MOSFET繼電器G3VM-21LR-LR1和 G3VM-41LR3-LR4，尺寸為4.2 x 2.04 x 1.8 mm (L x W x H)，和較大體積的繼電器有相同的功能，而節(jié)省體積67%，目標(biāo)應(yīng)用在PCB光板測(cè)試和ATA市場(chǎng)以及消費(fèi)類電子產(chǎn)品。

它的指標(biāo)包括有輸入輸出間絕緣電壓1500VAC，接通電阻在1-35歐姆之間，負(fù)載接通電流能力在80-300mA，取決于不同的型號(hào)。

新型SSOP繼電器非常適用在板的空間受限制和高密度單刀常開(SPNO)開關(guān)的地方。

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-263-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V

Id-連續(xù)漏極電流: 26 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 100 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V

Qg-柵極電荷: 36 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 95 W

通道模式: Enhancement

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

商標(biāo): Infineon Technologies

配置: Single

下降時(shí)間: 6 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 14 ns

工廠包裝數(shù)量: 1000

子類別: MOSFETs

晶體管類型: 1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 81 ns

典型接通延遲時(shí)間: 21 ns

零件號(hào)別名: IPB60R120P7 SP001664922

單位重量: 4 g

ICM-110T是單片數(shù)字彩色圖像器件，2048X1536(3,145,728像素)傳感器陣列，采用1/4和1/16亞取樣分辨率，工作高達(dá)12幀/秒或更高的幀速率。

采用0.25微米工藝，ICM-110T能和ICM108B 130萬象素以及ICM109T 200萬象素CMOS傳感器在引腳上兼容，使用戶能在單一的設(shè)計(jì)上板設(shè)計(jì)生產(chǎn)多種圖像產(chǎn)品。

應(yīng)用包括板/功能PCB測(cè)試設(shè)備以及ATE產(chǎn)品。OEM應(yīng)用包括有以電池為能源的消費(fèi)類電子產(chǎn)品如游戲機(jī)，通信設(shè)備和人體保健醫(yī)療設(shè)備。

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