可控硅(SCR)中噪音(dV/dt)免疫性和功率消耗間傳統(tǒng)折衷問題
發(fā)布時間:2021/10/19 12:55:54 訪問次數(shù):146
STIL02-P5和STIL04-P5限流器設(shè)計成滿足這些要求。每種產(chǎn)品在單一封裝內(nèi)都集成了兩種單向開關(guān)。該器件能克服可控硅(SCR)中噪音(dV/dt)免疫性和功率消耗間的傳統(tǒng)的折衷問題。
STIL器件的優(yōu)點包括低功耗的Ipt為20mA，在結(jié)溫為150度有大于500V/μs的高免疫性(dV/dt)。該器件還有低的反向電流損耗和功率開關(guān)的驅(qū)動器。
STIL作為AC整流橋設(shè)計的部件，它結(jié)合了二極管和SCR，形成半控制整流橋(HCRB)。這種電路使用較高的效率和集成度來限制浪涌電流成為可能。
3D霍爾效應(yīng)位置傳感器。借助TMAG5170，工程師能夠在高達(dá)20 kSPS的速度下無需校準(zhǔn)即可實現(xiàn)超高精度，從而在工廠自動化和電機驅(qū)動應(yīng)用中進(jìn)行更快速、更精確的實時控制。
傳感器也提供集成的功能和診斷特性，可更大程度地提高設(shè)計靈活性和系統(tǒng)安全性，同時功耗比同類器件至少低70%。TMAG5170是TI全新3D霍爾效應(yīng)位置傳感器系列中的第一款器件，可滿足包括超高性能應(yīng)用和通用應(yīng)用在內(nèi)的各種工業(yè)需求。
因此，工程師能夠定制芯片和系統(tǒng)級的安全方案，實現(xiàn)長期可靠性和更低的設(shè)計成本。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）
STIL02-P5和STIL04-P5限流器設(shè)計成滿足這些要求。每種產(chǎn)品在單一封裝內(nèi)都集成了兩種單向開關(guān)。該器件能克服可控硅(SCR)中噪音(dV/dt)免疫性和功率消耗間的傳統(tǒng)的折衷問題。
STIL器件的優(yōu)點包括低功耗的Ipt為20mA，在結(jié)溫為150度有大于500V/μs的高免疫性(dV/dt)。該器件還有低的反向電流損耗和功率開關(guān)的驅(qū)動器。
STIL作為AC整流橋設(shè)計的部件，它結(jié)合了二極管和SCR，形成半控制整流橋(HCRB)。這種電路使用較高的效率和集成度來限制浪涌電流成為可能。
3D霍爾效應(yīng)位置傳感器。借助TMAG5170，工程師能夠在高達(dá)20 kSPS的速度下無需校準(zhǔn)即可實現(xiàn)超高精度，從而在工廠自動化和電機驅(qū)動應(yīng)用中進(jìn)行更快速、更精確的實時控制。
傳感器也提供集成的功能和診斷特性，可更大程度地提高設(shè)計靈活性和系統(tǒng)安全性，同時功耗比同類器件至少低70%。TMAG5170是TI全新3D霍爾效應(yīng)位置傳感器系列中的第一款器件，可滿足包括超高性能應(yīng)用和通用應(yīng)用在內(nèi)的各種工業(yè)需求。
因此，工程師能夠定制芯片和系統(tǒng)級的安全方案，實現(xiàn)長期可靠性和更低的設(shè)計成本。
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