移動(dòng)DiskOnChip G3支持DMA(64KB)和多突發(fā)式存取時(shí)間25ns
發(fā)布時(shí)間:2021/10/20 9:01:09 訪問次數(shù):466
一種移動(dòng)DiskOnChip G3 512Mb閃存盤，它采用0.13um多級單元(MLC）NAND技術(shù)，在單一NAND存儲(chǔ)單元中能存儲(chǔ)兩位信息。
內(nèi)置的2KB XIP引導(dǎo)區(qū)使它能完全替代NOR閃存。其它特性包括有突發(fā)模式讀速度高達(dá)80MBps。
由于采用先進(jìn)的內(nèi)置控制器和獨(dú)特的閃存媒體結(jié)構(gòu)，移動(dòng)DiskOnChip G3有增強(qiáng)的性能和無可匹敵的可靠性。該器件采用EDC/ECC和TrueFFS技術(shù)，以改善數(shù)據(jù)完整性。安全特性包括有16B獨(dú)特的ID號和6KB OTP區(qū)域，以縮短用戶和產(chǎn)品特別信息。
二極管、雙極性晶體管、ESD保護(hù)器件、MOSFET器件和氮化鎵場效應(yīng)晶體管（GaN FET）以及模擬和邏輯IC。產(chǎn)品質(zhì)量上乘，在效率、工藝、尺寸、功率和性能方面已被公認(rèn)為行業(yè)標(biāo)桿，同時(shí)擁有業(yè)界領(lǐng)先的小型封裝，可有效節(jié)省功耗及空間。
其封裝尺寸為85引腳的7x10x1.2mm FBGA，是業(yè)界最小的高容量非易失的存儲(chǔ)器，能存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和代碼，內(nèi)部總線32位，支持DMA(64KB)和多突發(fā)式存取時(shí)間25ns(80MB/s)，NOR類接口，容易使用，內(nèi)核工作電壓3.3V,1.8V I/O，深降功耗(DPD）模式功耗僅10uA.
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）
一種移動(dòng)DiskOnChip G3 512Mb閃存盤，它采用0.13um多級單元(MLC）NAND技術(shù)，在單一NAND存儲(chǔ)單元中能存儲(chǔ)兩位信息。
內(nèi)置的2KB XIP引導(dǎo)區(qū)使它能完全替代NOR閃存。其它特性包括有突發(fā)模式讀速度高達(dá)80MBps。
由于采用先進(jìn)的內(nèi)置控制器和獨(dú)特的閃存媒體結(jié)構(gòu)，移動(dòng)DiskOnChip G3有增強(qiáng)的性能和無可匹敵的可靠性。該器件采用EDC/ECC和TrueFFS技術(shù)，以改善數(shù)據(jù)完整性。安全特性包括有16B獨(dú)特的ID號和6KB OTP區(qū)域，以縮短用戶和產(chǎn)品特別信息。
二極管、雙極性晶體管、ESD保護(hù)器件、MOSFET器件和氮化鎵場效應(yīng)晶體管（GaN FET）以及模擬和邏輯IC。產(chǎn)品質(zhì)量上乘，在效率、工藝、尺寸、功率和性能方面已被公認(rèn)為行業(yè)標(biāo)桿，同時(shí)擁有業(yè)界領(lǐng)先的小型封裝，可有效節(jié)省功耗及空間。
其封裝尺寸為85引腳的7x10x1.2mm FBGA，是業(yè)界最小的高容量非易失的存儲(chǔ)器，能存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和代碼，內(nèi)部總線32位，支持DMA(64KB)和多突發(fā)式存取時(shí)間25ns(80MB/s)，NOR類接口，容易使用，內(nèi)核工作電壓3.3V,1.8V I/O，深降功耗(DPD）模式功耗僅10uA.
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