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​移動應(yīng)用和用戶接口(MAUI)軟件能加速手機交貨UI參考設(shè)計

發(fā)布時間:2021/10/22 20:44:42 訪問次數(shù):759

GSM/GPRS蜂窩系統(tǒng)平臺,內(nèi)有用于建造更小更緊湊手機所需的硬件,軟件和開發(fā)工具,所需的IC只有三種.移動應(yīng)用和用戶接口(MAUI)軟件是能加速手機交貨的UI參考設(shè)計。

設(shè)計者也能修改UI以創(chuàng)造自己的獨特產(chǎn)品。此外,平臺包括第三方應(yīng)用軟件如WAP瀏覽器,MMS客戶,Java和帶有預(yù)見性的文本輸入。

通過向手機攝像頭提供照度和環(huán)境光頻閃信息,它可支持智能手機攝像頭的快速自動曝光,并可消除環(huán)境照明頻閃造成的波紋效果。

制造商: Texas Instruments

產(chǎn)品種類: 差分放大器

RoHS: 詳細(xì)信息

系列: THS4561

通道數(shù)量: 1 Channel

GBP-增益帶寬產(chǎn)品: 68 MHz

SR - 轉(zhuǎn)換速率 : 325 V/μs

CMRR - 共模抑制比: 110 dB

Ib - 輸入偏流: 370 nA

Vos - 輸入偏置電壓 : 250 uV

電源電壓-最大: 12.6 V

電源電壓-最小: 2.85 V

工作電源電流: 775 uA

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 125 C

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: QFN-10

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

0.1dB增益平坦度: 5 MHz

商標(biāo): Texas Instruments

開發(fā)套件: THS4561DGKEVM

en - 輸入電壓噪聲密度: 4 nV/vHz

增益V/V: 1 V/V

In—輸入噪聲電流密度: 4 nV/v Hz

輸入類型: Rail-to-Rail

Ios - 輸入偏置電流 : 2 nA

濕度敏感性: Yes

輸出類型: Rail-to-Rail

產(chǎn)品: Differential Amplifiers

產(chǎn)品類型: Differential Amplifiers

PSRR - 電源抑制比: 110 dB

穩(wěn)定時間: 90 ns

關(guān)閉: Shutdown

工廠包裝數(shù)量: 3000

子類別: Amplifier ICs

1Gb單芯片NAND閃存芯片。兩個2Gb的芯片封在單一的TSOP封裝,便能生產(chǎn)出4Gb(512MB)的NAND元件。2Gb芯片是采用SanDisk的多級單元(MLC)和0.13um NAND閃存技術(shù),由Toshiba 和SanDisk共同開發(fā)的。

新的1GB 單密度(SD)卡比前一代的產(chǎn)品多四倍。1GB SD卡能用來存儲高達(dá)30小時的數(shù)字壓縮音樂,超過320分鐘的MPEG-4壓縮視頻或多于1000個高分辨率的數(shù)字圖像。

該閃存卡有內(nèi)置的內(nèi)容保護(hù)權(quán)利管理功能,用于設(shè)備和卡之間的內(nèi)容安全交換。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

GSM/GPRS蜂窩系統(tǒng)平臺,內(nèi)有用于建造更小更緊湊手機所需的硬件,軟件和開發(fā)工具,所需的IC只有三種.移動應(yīng)用和用戶接口(MAUI)軟件是能加速手機交貨的UI參考設(shè)計。

設(shè)計者也能修改UI以創(chuàng)造自己的獨特產(chǎn)品。此外,平臺包括第三方應(yīng)用軟件如WAP瀏覽器,MMS客戶,Java和帶有預(yù)見性的文本輸入。

通過向手機攝像頭提供照度和環(huán)境光頻閃信息,它可支持智能手機攝像頭的快速自動曝光,并可消除環(huán)境照明頻閃造成的波紋效果。

制造商: Texas Instruments

產(chǎn)品種類: 差分放大器

RoHS: 詳細(xì)信息

系列: THS4561

通道數(shù)量: 1 Channel

GBP-增益帶寬產(chǎn)品: 68 MHz

SR - 轉(zhuǎn)換速率 : 325 V/μs

CMRR - 共模抑制比: 110 dB

Ib - 輸入偏流: 370 nA

Vos - 輸入偏置電壓 : 250 uV

電源電壓-最大: 12.6 V

電源電壓-最小: 2.85 V

工作電源電流: 775 uA

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 125 C

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: QFN-10

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

0.1dB增益平坦度: 5 MHz

商標(biāo): Texas Instruments

開發(fā)套件: THS4561DGKEVM

en - 輸入電壓噪聲密度: 4 nV/vHz

增益V/V: 1 V/V

In—輸入噪聲電流密度: 4 nV/v Hz

輸入類型: Rail-to-Rail

Ios - 輸入偏置電流 : 2 nA

濕度敏感性: Yes

輸出類型: Rail-to-Rail

產(chǎn)品: Differential Amplifiers

產(chǎn)品類型: Differential Amplifiers

PSRR - 電源抑制比: 110 dB

穩(wěn)定時間: 90 ns

關(guān)閉: Shutdown

工廠包裝數(shù)量: 3000

子類別: Amplifier ICs

1Gb單芯片NAND閃存芯片。兩個2Gb的芯片封在單一的TSOP封裝,便能生產(chǎn)出4Gb(512MB)的NAND元件。2Gb芯片是采用SanDisk的多級單元(MLC)和0.13um NAND閃存技術(shù),由Toshiba 和SanDisk共同開發(fā)的。

新的1GB 單密度(SD)卡比前一代的產(chǎn)品多四倍。1GB SD卡能用來存儲高達(dá)30小時的數(shù)字壓縮音樂,超過320分鐘的MPEG-4壓縮視頻或多于1000個高分辨率的數(shù)字圖像。

該閃存卡有內(nèi)置的內(nèi)容保護(hù)權(quán)利管理功能,用于設(shè)備和卡之間的內(nèi)容安全交換。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

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