移動應(yīng)用和用戶接口(MAUI)軟件能加速手機交貨UI參考設(shè)計
發(fā)布時間:2021/10/22 20:44:42 訪問次數(shù):759
GSM/GPRS蜂窩系統(tǒng)平臺,內(nèi)有用于建造更小更緊湊手機所需的硬件,軟件和開發(fā)工具,所需的IC只有三種.移動應(yīng)用和用戶接口(MAUI)軟件是能加速手機交貨的UI參考設(shè)計。
設(shè)計者也能修改UI以創(chuàng)造自己的獨特產(chǎn)品。此外,平臺包括第三方應(yīng)用軟件如WAP瀏覽器,MMS客戶,Java和帶有預(yù)見性的文本輸入。
通過向手機攝像頭提供照度和環(huán)境光頻閃信息,它可支持智能手機攝像頭的快速自動曝光,并可消除環(huán)境照明頻閃造成的波紋效果。

制造商: Texas Instruments
產(chǎn)品種類: 差分放大器
RoHS: 詳細(xì)信息
系列: THS4561
通道數(shù)量: 1 Channel
GBP-增益帶寬產(chǎn)品: 68 MHz
SR - 轉(zhuǎn)換速率 : 325 V/μs
CMRR - 共模抑制比: 110 dB
Ib - 輸入偏流: 370 nA
Vos - 輸入偏置電壓 : 250 uV
電源電壓-最大: 12.6 V
電源電壓-最小: 2.85 V
工作電源電流: 775 uA
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 125 C
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: QFN-10
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
0.1dB增益平坦度: 5 MHz
商標(biāo): Texas Instruments
開發(fā)套件: THS4561DGKEVM
en - 輸入電壓噪聲密度: 4 nV/vHz
增益V/V: 1 V/V
In—輸入噪聲電流密度: 4 nV/v Hz
輸入類型: Rail-to-Rail
Ios - 輸入偏置電流 : 2 nA
濕度敏感性: Yes
輸出類型: Rail-to-Rail
產(chǎn)品: Differential Amplifiers
產(chǎn)品類型: Differential Amplifiers
PSRR - 電源抑制比: 110 dB
穩(wěn)定時間: 90 ns
關(guān)閉: Shutdown
工廠包裝數(shù)量: 3000
子類別: Amplifier ICs

1Gb單芯片NAND閃存芯片。兩個2Gb的芯片封在單一的TSOP封裝,便能生產(chǎn)出4Gb(512MB)的NAND元件。2Gb芯片是采用SanDisk的多級單元(MLC)和0.13um NAND閃存技術(shù),由Toshiba 和SanDisk共同開發(fā)的。
新的1GB 單密度(SD)卡比前一代的產(chǎn)品多四倍。1GB SD卡能用來存儲高達(dá)30小時的數(shù)字壓縮音樂,超過320分鐘的MPEG-4壓縮視頻或多于1000個高分辨率的數(shù)字圖像。
該閃存卡有內(nèi)置的內(nèi)容保護(hù)權(quán)利管理功能,用于設(shè)備和卡之間的內(nèi)容安全交換。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
GSM/GPRS蜂窩系統(tǒng)平臺,內(nèi)有用于建造更小更緊湊手機所需的硬件,軟件和開發(fā)工具,所需的IC只有三種.移動應(yīng)用和用戶接口(MAUI)軟件是能加速手機交貨的UI參考設(shè)計。
設(shè)計者也能修改UI以創(chuàng)造自己的獨特產(chǎn)品。此外,平臺包括第三方應(yīng)用軟件如WAP瀏覽器,MMS客戶,Java和帶有預(yù)見性的文本輸入。
通過向手機攝像頭提供照度和環(huán)境光頻閃信息,它可支持智能手機攝像頭的快速自動曝光,并可消除環(huán)境照明頻閃造成的波紋效果。

制造商: Texas Instruments
產(chǎn)品種類: 差分放大器
RoHS: 詳細(xì)信息
系列: THS4561
通道數(shù)量: 1 Channel
GBP-增益帶寬產(chǎn)品: 68 MHz
SR - 轉(zhuǎn)換速率 : 325 V/μs
CMRR - 共模抑制比: 110 dB
Ib - 輸入偏流: 370 nA
Vos - 輸入偏置電壓 : 250 uV
電源電壓-最大: 12.6 V
電源電壓-最小: 2.85 V
工作電源電流: 775 uA
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 125 C
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: QFN-10
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
0.1dB增益平坦度: 5 MHz
商標(biāo): Texas Instruments
開發(fā)套件: THS4561DGKEVM
en - 輸入電壓噪聲密度: 4 nV/vHz
增益V/V: 1 V/V
In—輸入噪聲電流密度: 4 nV/v Hz
輸入類型: Rail-to-Rail
Ios - 輸入偏置電流 : 2 nA
濕度敏感性: Yes
輸出類型: Rail-to-Rail
產(chǎn)品: Differential Amplifiers
產(chǎn)品類型: Differential Amplifiers
PSRR - 電源抑制比: 110 dB
穩(wěn)定時間: 90 ns
關(guān)閉: Shutdown
工廠包裝數(shù)量: 3000
子類別: Amplifier ICs

1Gb單芯片NAND閃存芯片。兩個2Gb的芯片封在單一的TSOP封裝,便能生產(chǎn)出4Gb(512MB)的NAND元件。2Gb芯片是采用SanDisk的多級單元(MLC)和0.13um NAND閃存技術(shù),由Toshiba 和SanDisk共同開發(fā)的。
新的1GB 單密度(SD)卡比前一代的產(chǎn)品多四倍。1GB SD卡能用來存儲高達(dá)30小時的數(shù)字壓縮音樂,超過320分鐘的MPEG-4壓縮視頻或多于1000個高分辨率的數(shù)字圖像。
該閃存卡有內(nèi)置的內(nèi)容保護(hù)權(quán)利管理功能,用于設(shè)備和卡之間的內(nèi)容安全交換。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)