當(dāng)處理器的核電壓和I/O電壓在電源起動時(shí)在一定的電壓差內(nèi)需要互相跟蹤時(shí)，TPS54x73能可靠地加電。在起動時(shí)核電壓等于I/O電壓減去二極管壓降。

新元件的其它特性包括預(yù)提取4位，差分鎖存和可變數(shù)據(jù)輸出阻抗調(diào)整。它是采用Infineon公司的下一代110nm DRAM工藝制造。

由此制造1GB DDR SO-DIMM PC2100可用在高端筆記本電腦和膝上型電腦。

1GB SO-DIMM采用8個(gè)1Gb元件，它用Infinoen的兩個(gè)512Mb芯片封裝一個(gè)封裝內(nèi)。

制造商:Diodes Incorporated產(chǎn)品種類:開關(guān)穩(wěn)壓器RoHS: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:TSOT-26-6拓?fù)浣Y(jié)構(gòu):Buck輸出電壓:800 mV to 31 V輸出電流:3 A輸出端數(shù)量:1 Output最大輸入電壓:32 V最小輸入電壓:3.8 V靜態(tài)電流:22 uA開關(guān)頻率:500 kHz最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 85 C封裝:Reel封裝:Cut Tape封裝:MouseReel商標(biāo):Diodes Incorporated濕度敏感性:Yes產(chǎn)品類型:Switching Voltage Regulators關(guān)閉:Shutdown3000子類別:PMIC - Power Management ICs類型:Synchronous單位重量:8 mg

200引腳的連接器，工作在5V，有兩個(gè)128MbX64組。PC2100模塊的工程樣品價(jià)格為$900。和1G模塊兼容的PC2700模塊計(jì)劃在2003年第二季度提供。

512Mb元件也擴(kuò)展到移動存儲器系列，它包括128Mb和256Mb兩種。

它的占位面積和待機(jī)功耗都比通常的DRAM產(chǎn)品小50%，移動RAM很適合用在手持電子產(chǎn)品如PDA，智能手機(jī)，數(shù)碼相機(jī)和網(wǎng)絡(luò)便箋簿。移動RAM工作在2.5V而不是通常SDRAM的3.3V，由于它的功率管理技術(shù)，其功耗進(jìn)一步降低。

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