第一個4GB DDR SDRAM雙列直插存儲器模塊(DIMM)，已經(jīng)得到Intel公司注冊認(rèn)可。

工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)4GB 184引腳PC1600和PC2100 DDR SDRAM DIMM是采用Micro公司的 1Gb DDR266 SDRAM芯片MT46V128M8，MT64V256M4或MT46V64M16，封裝在符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的400密爾寬的64引腳TSOP封裝，間距0.65mm。

該芯片的工作電壓為VDD = +2.5V ±0.2V, VDDQ = +2.5V ±0.2V，雙向數(shù)據(jù)選通(DQS)發(fā)送/接收，內(nèi)部管線式雙數(shù)據(jù)速率(DDR)結(jié)構(gòu)，每時鐘周期有兩個數(shù)據(jù)存取，差分時鐘輸入.

制造商:ROHM Semiconductor 產(chǎn)品種類:雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT) 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 晶體管極性:PNP 配置:Single 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:12 V 集電極—基極電壓 VCBO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:6 V 最大直流電集電極電流:6 A Pd-功率耗散:1250 mW 增益帶寬產(chǎn)品fT:250 MHz 最大工作溫度:+ 150 C 封裝:Reel 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 商標(biāo):ROHM Semiconductor 直流集電極/Base Gain hfe Min:270 直流電流增益 hFE 最大值:270 at 500 mA, 2 V 高度:1.1 mm 長度:2.9 mm 產(chǎn)品類型:BJTs - Bipolar Transistors 工廠包裝數(shù)量3000 子類別:Transistors 技術(shù):Si 寬度:1.6 mm 零件號別名:QST2

滿足可穿戴設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備、家電和工業(yè)自動化等物聯(lián)網(wǎng)終端應(yīng)用需求，提供業(yè)界同類產(chǎn)品中較低運(yùn)行功率；在工作模式下能耗僅81uA/MHz，軟件待機(jī)電流僅200nA，并可快速喚醒。

新產(chǎn)品支持-40至125°C的極寬Ta溫度范圍，可適用于惡劣的物聯(lián)網(wǎng)工作環(huán)境。

RA2E2 MCU支持I3C總線接口并集成了節(jié)約成本的外圍功能，包括精度為+/-1%的片上振蕩器、上電復(fù)位、低壓檢測器、EEPROM和溫度傳感器。

瑞薩RA產(chǎn)品家族現(xiàn)擁有超過160款型號，工作頻率從48MHz到200MHz。

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