通信設(shè)備和互聯(lián)網(wǎng)集線器及路由器到儀表和自動測試設(shè)備電源
發(fā)布時間:2021/10/28 12:20:33 訪問次數(shù):115
兩種高效率的耗散功率1.8W的30V, 9mW N-MOSFET FDC796N和100V, 70mW N-MOSFET FDC3616N。它們很適合用在小形狀尺寸的DC/DC轉(zhuǎn)換器，比如從通信設(shè)備和互聯(lián)網(wǎng)集線器以及路由器到儀表和自動測試設(shè)備(ATE)中的電源。
FDC769N和FDC3616N是Fairchild的最新功率MOSFET，它采用PowerTrench技術(shù)和先進(jìn)的SuperSOT-6 FLMP(倒裝引線模塊封裝)，比通常的SO-8封裝，其封裝面積小70%。兩種FDC769N和FDC3616N的導(dǎo)通電阻極低，柵極電荷也很低(典型值分別為14nC 和23nC)，封裝面積為9平方毫米。
AAT3123驅(qū)動四個LED，而AAT3124驅(qū)動六個LED。新器件也有熱管理系統(tǒng)特性，以保護(hù)任何輸出引腳所出現(xiàn)的短路。嵌入的軟起動電路防止了在起動時的電流過沖。
AAT3123是緊湊的12引腳TSOPJW-12封裝，AAT3214是16引腳4x4mmQFN封裝。兩種器件和Analogic Tech現(xiàn)有的AAT3113/4器件引腳兼容。
為了讓電源供電設(shè)計人員能夠輕松復(fù)制此設(shè)計，EPC網(wǎng)站上提供該電路板的所有相關(guān)設(shè)計資源，包括原理圖、材料清單和 Gerber文檔。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）
兩種高效率的耗散功率1.8W的30V, 9mW N-MOSFET FDC796N和100V, 70mW N-MOSFET FDC3616N。它們很適合用在小形狀尺寸的DC/DC轉(zhuǎn)換器，比如從通信設(shè)備和互聯(lián)網(wǎng)集線器以及路由器到儀表和自動測試設(shè)備(ATE)中的電源。
FDC769N和FDC3616N是Fairchild的最新功率MOSFET，它采用PowerTrench技術(shù)和先進(jìn)的SuperSOT-6 FLMP(倒裝引線模塊封裝)，比通常的SO-8封裝，其封裝面積小70%。兩種FDC769N和FDC3616N的導(dǎo)通電阻極低，柵極電荷也很低(典型值分別為14nC 和23nC)，封裝面積為9平方毫米。
AAT3123驅(qū)動四個LED，而AAT3124驅(qū)動六個LED。新器件也有熱管理系統(tǒng)特性，以保護(hù)任何輸出引腳所出現(xiàn)的短路。嵌入的軟起動電路防止了在起動時的電流過沖。
AAT3123是緊湊的12引腳TSOPJW-12封裝，AAT3214是16引腳4x4mmQFN封裝。兩種器件和Analogic Tech現(xiàn)有的AAT3113/4器件引腳兼容。
為了讓電源供電設(shè)計人員能夠輕松復(fù)制此設(shè)計，EPC網(wǎng)站上提供該電路板的所有相關(guān)設(shè)計資源，包括原理圖、材料清單和 Gerber文檔。
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