穩(wěn)態(tài)最大電流4.6A的低損耗開關(guān)嵌入單周期8052閃存MCU
發(fā)布時間:2021/10/28 21:44:10 訪問次數(shù):199
AduC845的雙Sigma-Delta ADC有一主一輔,24位分辨率,嵌入單周期8052閃存MCU。
ADC的吞吐量速率為1.3kHz(最大)。片上代碼閃存/電擦除(EE)存儲器允許在電路中進行重新編程,而單獨的數(shù)據(jù)存儲器則提供了非揮發(fā)的讀/寫區(qū),以增加安全性。
這使得該產(chǎn)品能用在需要低漂移,抑制噪音和有最佳電磁干擾抑制的低方。
這種新器件還集成了溫度傳感器,12位電壓輸出的DAC,兩個PWM輸出,兩個電流源以及UART,SPI和I2C通信接口。
新器件的占位品質(zhì)因素(FFOM)為80mWx2.25mm2=180,而標準的TSSOP-6的FFOM為80mWx9.0mm2=720,改善了75%。
FDZ228P由于能提供有穩(wěn)態(tài)最大電流4.6A的低損耗開關(guān),能降低系統(tǒng)的寄生漏電。
FDZ229P的封裝高度最高為0.8mm,使該器件能裝配成RF屏蔽,內(nèi)部子系統(tǒng)和顯示器。
該器件的導通電阻RDS(on)極低,VGS=-4.5V時為55毫歐姆,VGS=-2.5V為80毫歐姆,柵極電荷低,VGS =4.5V, Qg=9nC。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
AduC845的雙Sigma-Delta ADC有一主一輔,24位分辨率,嵌入單周期8052閃存MCU。
ADC的吞吐量速率為1.3kHz(最大)。片上代碼閃存/電擦除(EE)存儲器允許在電路中進行重新編程,而單獨的數(shù)據(jù)存儲器則提供了非揮發(fā)的讀/寫區(qū),以增加安全性。
這使得該產(chǎn)品能用在需要低漂移,抑制噪音和有最佳電磁干擾抑制的低方。
這種新器件還集成了溫度傳感器,12位電壓輸出的DAC,兩個PWM輸出,兩個電流源以及UART,SPI和I2C通信接口。
新器件的占位品質(zhì)因素(FFOM)為80mWx2.25mm2=180,而標準的TSSOP-6的FFOM為80mWx9.0mm2=720,改善了75%。
FDZ228P由于能提供有穩(wěn)態(tài)最大電流4.6A的低損耗開關(guān),能降低系統(tǒng)的寄生漏電。
FDZ229P的封裝高度最高為0.8mm,使該器件能裝配成RF屏蔽,內(nèi)部子系統(tǒng)和顯示器。
該器件的導通電阻RDS(on)極低,VGS=-4.5V時為55毫歐姆,VGS=-2.5V為80毫歐姆,柵極電荷低,VGS =4.5V, Qg=9nC。
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