數(shù)據(jù)傳輸速率高達(dá)533Mbps，工作電壓1.8V，能滿足下一代PC，工作站和服務(wù)器對高速低功耗的要求。它的功耗比DDR1器件要低30%。

Elpida的大容量寬帶寬512Mb DDR2 SDRAM器件是采用0.11um工藝制造的。

它的結(jié)構(gòu)分別為128Mx4位;64MX8為和132MX16位，采用FBGA封裝。基于DDR2的器件的CAS等待3，4，突發(fā)長度4和8。器件的先進(jìn)DDR2結(jié)構(gòu)包括有片外驅(qū)動器阻抗調(diào)整和單芯片終端(ODT)，提供更好的系統(tǒng)時(shí)序和提高信號質(zhì)量。

制造商:Texas Instruments產(chǎn)品種類:視頻放大器RoHS: 系列:通道數(shù)量:3 Channel3dB帶寬:8.5 MHz電源電壓-最大:5.5 V電源電壓-最小:2.85 V工作電源電流:16 mA最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 85 C安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SOIC-8封裝:Reel封裝:Cut Tape封裝:MouseReel放大器類型:Integrated Filter Amplifier商標(biāo):Texas Instruments開發(fā)套件:THS7314EVM高度:1.58 mm長度:4.9 mm濕度敏感性:Yes工作電源電壓:2.85 V to 5.5 V產(chǎn)品:Video Amplifiers產(chǎn)品類型:Video Amplifiers2500子類別:Amplifier ICs電源類型:Single寬度:3.91 mm零件號別名:HPA00190DR單位重量:76 mg

一次掃描即可同時(shí)捕獲三幅不同場圖像

133 kHz x 3 的高速行頻

高靈敏度多陣列 TDI

雙向掃描

輔助對齊標(biāo)記

第一個(gè)由Intel DDR2確認(rèn)的512Mb DDR2 SDRAM器件EDE51xxABSE。