mmWave毫米波設(shè)備HDMI和SATA中的高速數(shù)據(jù)信號(hào)

發(fā)布時(shí)間:2021/10/30 22:22:06 訪問次數(shù):677

高速端口應(yīng)用的ESD保護(hù)器件陣列CM1213,它的電容只有1pF,是業(yè)界第一個(gè)有超低電容的器件，能處理USB 2.0，防火墻，DVI，HDMI和SATA信號(hào)。和有額定指標(biāo)3pF到5pF的器件不同,CM1213不會(huì)衰減USB 2.0，防火墻，DVI，HDMI和SATA中的高速數(shù)據(jù)信號(hào)。

指標(biāo)包括8KV的ESD接觸保護(hù)指標(biāo)，15KV的空氣保護(hù)指標(biāo)，通道到地的差分電容為0.02pF，通道到通道的電容為0.003pF，鉗位電壓為Vbus+9V(最大為14V)。

有1通道到8通道的型號(hào)，封裝有SOT-23，SOT-14，SOIC和MSOP幾種類型。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-220-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 200 V

Id-連續(xù)漏極電流: 21 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 100 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.1 V

Qg-柵極電荷: -

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 125 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: SIPMOS

封裝: Tube

商標(biāo): Infineon Technologies

配置: Single

下降時(shí)間: 90 ns

正向跨導(dǎo) - 最小值: 6 S

高度: 15.65 mm

長度: 10 mm

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 70 ns

500

子類別: MOSFETs

晶體管類型: 1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 250 ns

典型接通延遲時(shí)間: 30 ns

寬度: 4.4 mm

零件號(hào)別名: BUZ30A H SP000682990 BUZ3AHXK

單位重量: 2 g

工業(yè)級(jí)PCIe Gen 4x4固態(tài)硬盤，以雙倍容量、雙倍帶寬及雙倍傳輸速率，將積極導(dǎo)入5G基礎(chǔ)設(shè)施、mmWave毫米波設(shè)備、智能路燈及AIoT人工智能物聯(lián)網(wǎng)等高階市場(chǎng)應(yīng)用。

國際市調(diào)機(jī)構(gòu)Fortune Business Insights預(yù)測(cè)，全球5G基礎(chǔ)建設(shè)市場(chǎng)規(guī)模將在2027年底達(dá)到800.6億美元，于2020至2027年間達(dá)到71.0%的年復(fù)合成長率，為各式5G及AIoT創(chuàng)新應(yīng)用奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

然而除了5G網(wǎng)絡(luò)帶來的高速、低延遲與廣鏈接特性，在存儲(chǔ)裝置的效能上，也必須突破過往Gen 3.0存儲(chǔ)設(shè)備所面臨的帶寬與傳輸速率瓶頸，才能充分發(fā)揮海量數(shù)據(jù)在實(shí)時(shí)存取、演算的優(yōu)勢(shì)。

(素材來源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）