高精度的片內(nèi)2.5V的基準(zhǔn)電壓源不需要外接基準(zhǔn)電壓，能用軟件來配置成向外接器件提供100mV到3.5V的基準(zhǔn)電壓。輸入可配置成單端，差分和假差分信號。

片內(nèi)的可編次序器允許用戶通道取樣選擇，簡化了系統(tǒng)設(shè)計(jì)和編程。

ADC工作在單電源2.7-5.25V,在最高取樣頻率和5V時(shí)僅消耗16mW。AD739x多通道器件很適合用在基礎(chǔ)設(shè)備和通信方面以及高分辨率的控制回路。

八通道12位和10位分辨率的AD7938和AD7939是32引腳LFCSP封裝.

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-263-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 55 V

Id-連續(xù)漏極電流: 77 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 11.7 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V

Qg-柵極電荷: 60 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 158 W

通道模式: Enhancement

資格: AEC-Q101

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

商標(biāo): Infineon Technologies

配置: Single

下降時(shí)間: 26 ns

高度: 4.4 mm

長度: 10 mm

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 27 ns

1000

子類別: MOSFETs

晶體管類型: 1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 34 ns

典型接通延遲時(shí)間: 14 ns

寬度: 9.25 mm

零件號別名: IPB77N06S2-12 SP001061294

單位重量: 4 g

基于硅鍺的高頻集成電路破記錄地提升到110GHz的高度。

所測量的電路表明，其性能和其它供應(yīng)商的同類產(chǎn)品相比，提高10-30%的工作頻率，使其能應(yīng)用在高頻產(chǎn)品和高速通信系統(tǒng)。

從這種技術(shù)受益的將是高速分立元件(晶體管和二極管)，40Gbps低功耗有線通信系統(tǒng)，高速微波無線鏈路，高達(dá)60GHz的超寬帶通信系統(tǒng)和77GHz汽車?yán)走_(dá)系統(tǒng)。

Infineon公司根據(jù)它的SiGe:C雙極工藝，設(shè)計(jì)了幾種用于高速通信的主要功能塊，它的截止頻率大于200GHz，所演示的振蕩器門延遲時(shí)間為3.7ps。

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