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ST4SIM系列為眾多M2M應(yīng)用提供了便捷的聯(lián)網(wǎng)解決方案

發(fā)布時(shí)間:2021/10/31 10:29:57 訪問次數(shù):107


ST4SIM面向大眾市場的機(jī)器對機(jī)器 (M2M) 嵌入式 SIM卡(eSIM)芯片。

意法半導(dǎo)體的工業(yè)用eSIM芯片提供物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備與蜂窩網(wǎng)絡(luò)連接所需的全部服務(wù),非常適用于機(jī)器狀態(tài)監(jiān)測和預(yù)測性維護(hù),以及資產(chǎn)跟蹤、能源管理和聯(lián)網(wǎng)的醫(yī)療保健等設(shè)備。

憑借內(nèi)置豐富的功能和世界一流的網(wǎng)絡(luò)配置服務(wù),我們的 ST4SIM 系列為眾多 M2M 應(yīng)用提供了便捷的聯(lián)網(wǎng)解決方案。現(xiàn)在這款芯片在大眾市場上推出,可以讓各地的開發(fā)者將安全靈活的蜂窩網(wǎng)絡(luò)部署到更多的應(yīng)用中,包括獨(dú)立的 M2M開發(fā)、概念驗(yàn)證和原型開發(fā)項(xiàng)目。


制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-263-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V

Id-連續(xù)漏極電流: 70 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 5.3 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V

Qg-柵極電荷: 32 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 58 W

通道模式: Enhancement

資格: AEC-Q101

商標(biāo)名: OptiMOS

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

商標(biāo): Infineon Technologies

配置: Single

下降時(shí)間: 9 ns

高度: 4.4 mm

長度: 10 mm

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 10 ns

系列: OptiMOS-T2

子類別: MOSFETs

晶體管類型: 1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 7 ns

典型接通延遲時(shí)間: 8 ns

寬度: 9.25 mm

零件號別名: IPB7N4S46XT SP000711476 IPB70N04S406ATMA1

單位重量: 4 g


基于VIA的獨(dú)特的模塊結(jié)構(gòu)平臺(V-MAP)架構(gòu),PT800北橋通過V-Link高速吞吐量總線連接到VT8237南橋。其主要特性有:


支持所有的Intel Pentinum 4處理器,

支持超線程技術(shù)(HTT),

800/533/400MHz FSB 設(shè)定,

支持帶ECC的高達(dá)8GB DDR400/333/266 SDRAM,

支持AGP8X/4X,

V-Link 533MBps寬帶寬北橋/南橋互連.

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)



ST4SIM面向大眾市場的機(jī)器對機(jī)器 (M2M) 嵌入式 SIM卡(eSIM)芯片。

意法半導(dǎo)體的工業(yè)用eSIM芯片提供物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備與蜂窩網(wǎng)絡(luò)連接所需的全部服務(wù),非常適用于機(jī)器狀態(tài)監(jiān)測和預(yù)測性維護(hù),以及資產(chǎn)跟蹤、能源管理和聯(lián)網(wǎng)的醫(yī)療保健等設(shè)備。

憑借內(nèi)置豐富的功能和世界一流的網(wǎng)絡(luò)配置服務(wù),我們的 ST4SIM 系列為眾多 M2M 應(yīng)用提供了便捷的聯(lián)網(wǎng)解決方案。現(xiàn)在這款芯片在大眾市場上推出,可以讓各地的開發(fā)者將安全靈活的蜂窩網(wǎng)絡(luò)部署到更多的應(yīng)用中,包括獨(dú)立的 M2M開發(fā)、概念驗(yàn)證和原型開發(fā)項(xiàng)目。


制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-263-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V

Id-連續(xù)漏極電流: 70 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 5.3 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V

Qg-柵極電荷: 32 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 58 W

通道模式: Enhancement

資格: AEC-Q101

商標(biāo)名: OptiMOS

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

商標(biāo): Infineon Technologies

配置: Single

下降時(shí)間: 9 ns

高度: 4.4 mm

長度: 10 mm

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 10 ns

系列: OptiMOS-T2

子類別: MOSFETs

晶體管類型: 1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 7 ns

典型接通延遲時(shí)間: 8 ns

寬度: 9.25 mm

零件號別名: IPB7N4S46XT SP000711476 IPB70N04S406ATMA1

單位重量: 4 g


基于VIA的獨(dú)特的模塊結(jié)構(gòu)平臺(V-MAP)架構(gòu),PT800北橋通過V-Link高速吞吐量總線連接到VT8237南橋。其主要特性有:


支持所有的Intel Pentinum 4處理器,

支持超線程技術(shù)(HTT),

800/533/400MHz FSB 設(shè)定,

支持帶ECC的高達(dá)8GB DDR400/333/266 SDRAM,

支持AGP8X/4X,

V-Link 533MBps寬帶寬北橋/南橋互連.

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)


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