基于Arm® Cortex®-M23內(nèi)核MCU的最新成員，GD32L233系列主流型低功耗微控制器。GD32L233系列MCU以多種運行模式和休眠模式提供了優(yōu)異的功耗效率和優(yōu)化的處理性能。

與業(yè)界同類低功耗產(chǎn)品相比，具備更加豐富的外設資源和應用靈活性，從而為系統(tǒng)級能源效率的持續(xù)提升開辟道路，廣泛適用于工業(yè)表計、小型消費電子設備、便攜式醫(yī)療設備、電池管理系統(tǒng)、數(shù)據(jù)采集與傳輸?shù)鹊湫褪袌觥?/span>

GD32L233產(chǎn)品組合提供了4種封裝類型共10個型號選擇，目前已經(jīng)開始提供樣片和開發(fā)板卡。

RoHS: 詳細信息

技術(shù): Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-263

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V

Id-連續(xù)漏極電流: 11 A

Rds On-漏源導通電阻: 478 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 3.5 V

Qg-柵極電荷: 20 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 63 W

通道模式: Enhancement

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

商標: Infineon Technologies

下降時間: 10 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時間: 6 ns

1000

子類別: MOSFETs

晶體管類型: 1 N-Channel

典型關閉延遲時間: 48 ns

典型接通延遲時間: 9 ns

零件號別名: IPB65R225C7 SP002447552

單位重量: 324 mg

REG710X不需要任何的電感，采用1MHz的開關頻率，可以使用陶瓷電容而不必用昂貴的鉭電容。該器件包括有超溫和過流保護，自動限制浪涌電流，以保護系統(tǒng)和抑制電磁干擾，從而使設計簡單化。

REG71055降壓-升壓轉(zhuǎn)換器能從輸入電壓3.0V-5.5V維持固定輸出電壓5.5V，用來驅(qū)動白光LED。為了進一步節(jié)省能源和延長電池壽命，該器件的靜態(tài)功耗典型值為65uA。

基于超低功耗工藝制程。GD32L233系列MCU采用了業(yè)界領先的40nm超低功耗(ULP)制造技術(shù)，低漏電物理單元從硬件層面降低功耗。