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超結(jié)超高壓MDmesh K6配套的模塊適配門極驅(qū)動器(MAG)

發(fā)布時間:2021/11/1 12:08:23 訪問次數(shù):678

雙通道100mmx140mm IGBT模塊的設(shè)計導(dǎo)入,提供耐壓在3300V以內(nèi)的加強絕緣。這種外形緊湊的即插即用型門極驅(qū)動器可提高輕軌和可再生能源應(yīng)用的效率、性能和可靠性。

SCALE-iFlex系統(tǒng)可立即使用,它由一個中央絕緣主控制(IMC)單元和一個配套的模塊適配門極驅(qū)動器(MAG)組成。

SCALE-iFlex Single門極驅(qū)動器的外形經(jīng)過專門設(shè)計,可與IGBT功率模塊完美適配,這些IGBT功率模塊包括ABB LinPak、Hitachi nHPD2、Infineon xHP2和xHP3、Mitsubishi LV100/HV100以及其他同類產(chǎn)品。

制造商:Nexperia 產(chǎn)品種類:MOSFET RoHS: 詳細信息 技術(shù):Si 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:20 V Id-連續(xù)漏極電流:6.3 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:20 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 12 V, + 12 V Vgs th-柵源極閾值電壓:750 mV Qg-柵極電荷:9.9 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:1.19 W 通道模式:Enhancement 資格:AEC-Q101 封裝:Reel 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 商標:Nexperia 配置:Single 下降時間:22 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時間:40 ns 工廠包裝數(shù)量:3000 子類別:MOSFETs 晶體管類型:1 N-Channel 典型關(guān)閉延遲時間:44 ns 典型接通延遲時間:16 ns 零件號別名:934068717215 單位重量:8 mg

STPOWER MDmesh K6 新系列超級結(jié)晶體管改進多個關(guān)鍵參數(shù),最大限度減少系統(tǒng)功率損耗,特別適合基于反激式拓撲的照明應(yīng)用,例如, LED 驅(qū)動器、HID 燈,還是適用于電源適配器和平板顯示器的電源。

我們已經(jīng)測評了新的超結(jié)超高壓 MDmesh K6 系列的樣片,并注意到其出色的 Rdson* 面積和總柵極電荷 (Qg) 性能特點,給我們印象深刻。

意法半導(dǎo)體將于 2022 年前推出MDmesh K6 的完整產(chǎn)品組合,將導(dǎo)通電阻RDS(on)范圍從 0.22Ω 擴大到 4.5Ω,并增加一系列封裝選項,包括 SMD 和通孔外殼。


(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

雙通道100mmx140mm IGBT模塊的設(shè)計導(dǎo)入,提供耐壓在3300V以內(nèi)的加強絕緣。這種外形緊湊的即插即用型門極驅(qū)動器可提高輕軌和可再生能源應(yīng)用的效率、性能和可靠性。

SCALE-iFlex系統(tǒng)可立即使用,它由一個中央絕緣主控制(IMC)單元和一個配套的模塊適配門極驅(qū)動器(MAG)組成。

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制造商:Nexperia 產(chǎn)品種類:MOSFET RoHS: 詳細信息 技術(shù):Si 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:20 V Id-連續(xù)漏極電流:6.3 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:20 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 12 V, + 12 V Vgs th-柵源極閾值電壓:750 mV Qg-柵極電荷:9.9 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:1.19 W 通道模式:Enhancement 資格:AEC-Q101 封裝:Reel 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 商標:Nexperia 配置:Single 下降時間:22 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時間:40 ns 工廠包裝數(shù)量:3000 子類別:MOSFETs 晶體管類型:1 N-Channel 典型關(guān)閉延遲時間:44 ns 典型接通延遲時間:16 ns 零件號別名:934068717215 單位重量:8 mg

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意法半導(dǎo)體將于 2022 年前推出MDmesh K6 的完整產(chǎn)品組合,將導(dǎo)通電阻RDS(on)范圍從 0.22Ω 擴大到 4.5Ω,并增加一系列封裝選項,包括 SMD 和通孔外殼。


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