結(jié)晶體管改進(jìn)多個(gè)關(guān)鍵參數(shù)，最大限度減少系統(tǒng)功率損耗，特別適合基于反激式拓?fù)涞恼彰鲬?yīng)用，例如， LED 驅(qū)動(dòng)器、HID 燈，還是適用于電源適配器和平板顯示器的電源。

二次保護(hù)IC bq29400,它集成了高度精確的獨(dú)立的過壓檢測(cè)電路.由于有二次電壓保護(hù)器,多顆電池的電池盒中的每個(gè)電池可和內(nèi)部基準(zhǔn)電壓相比較.

如果其中的一顆電池到了過壓狀態(tài),bq29400將會(huì)等待可編程的周期,設(shè)定一個(gè)輸出去驅(qū)動(dòng)外接FET,把化學(xué)保險(xiǎn)絲燒斷,進(jìn)一步保護(hù)系統(tǒng).

制造商:onsemi產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS: 技術(shù):Si安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SSOT-3晶體管極性:P-Channel通道數(shù)量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:30 VId-連續(xù)漏極電流:2 ARds On-漏源導(dǎo)通電阻:63 mOhmsVgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 VVgs th-柵源極閾值電壓:3 VQg-柵極電荷:9 nC最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 150 CPd-功率耗散:500 mW通道模式:Enhancement商標(biāo)名:封裝:Reel封裝:Cut Tape封裝:MouseReel商標(biāo):onsemi / Fairchild配置:Single下降時(shí)間:13 ns正向跨導(dǎo) - 最小值:5 S高度:1.12 mm長度:2.9 mm產(chǎn)品:MOSFET Small Signal產(chǎn)品類型:MOSFET上升時(shí)間:13 ns系列:3000子類別:MOSFETs晶體管類型:1 P-Channel類型:MOSFET典型關(guān)閉延遲時(shí)間:11 ns典型接通延遲時(shí)間:6 ns寬度:1.4 mm零件號(hào)別名:FDN360P_NL單位重量:30 mg

2,3或4節(jié)電池保護(hù)控制,

能對(duì)電池主管理提供單顆電池電壓和電池盒電壓,

集成了電池平衡驅(qū)動(dòng),

用于在充電和放電時(shí)過載和短路的閾值和延時(shí)可編程,

系統(tǒng)告警中斷輸出,

主控制器能初始睡眠模式和工作模式,

低工作電流,典型值為60uA.

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