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K6系列的閾壓比上一代MDmesh K5更低可使用更低電壓驅動

發(fā)布時間:2021/11/2 23:03:05 訪問次數(shù):569

SiT3901 μPower 數(shù)字控制 MEMS 振蕩器 (DCXO),該振蕩器專門針對空間受限的功耗敏感型移動應用和物聯(lián)網(wǎng)應用。

MEMS振蕩器理想適用于智能手表,活動追蹤器、助聽器和可穿戴設備的無線充電系統(tǒng)。

隨著電子產(chǎn)品的演進發(fā)展,SiTime 綜合采用創(chuàng)新性 MEMS、可編程模擬與快速推出方法,繼續(xù)快速解決極具挑戰(zhàn)性的時序問題。新無線應用的功耗和尺寸要求迫切需要一種新的時序方法。

SiT3901 DCXO 是業(yè)界首款 μPower 數(shù)字控制振蕩器,它能夠提高充電效率,同時縮小占板面積。

制造商:Vishay 產(chǎn)品種類:二極管 - 通用,功率,開關 產(chǎn)品:Switching Diodes 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOD-123 峰值反向電壓:100 V 最大浪涌電流:500 mA If - 正向電流:150 mA 恢復時間:4 ns Vf - 正向電壓:1.2 V Ir - 反向電流 :100 uA 最小工作溫度:- 65 C 最大工作溫度:+ 150 C 資格:AEC-Q101 封裝:Reel 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 商標:Vishay Semiconductors 最大二極管電容:4 pF Pd-功率耗散:350 mW 產(chǎn)品類型:Diodes - General Purpose, Power, Switching 工廠包裝數(shù)量15000 子類別:Diodes & Rectifiers 單位重量:10.300 mg

800V STPOWER MDmesh K6系列, 為這種超級結晶體管技術樹立了高性能和易用性兼?zhèn)涞臉藯U。MDmesh K6 的RDS(on) x 面積參數(shù)在市場上現(xiàn)有800V產(chǎn)品中處于領先水平,能夠實現(xiàn)緊湊的集高功率密度與市場領先的能效于一身新的新設計。

此外,K6系列的閾壓比上一代 MDmesh K5更低,可使用更低的電壓驅動,從而降低功耗并提高能效,主要用于零功耗待機應用。

總柵極電荷 (Qg) 也非常低,可以實現(xiàn)高開關速度和低損耗。

(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝)

SiT3901 μPower 數(shù)字控制 MEMS 振蕩器 (DCXO),該振蕩器專門針對空間受限的功耗敏感型移動應用和物聯(lián)網(wǎng)應用。

MEMS振蕩器理想適用于智能手表,活動追蹤器、助聽器和可穿戴設備的無線充電系統(tǒng)。

隨著電子產(chǎn)品的演進發(fā)展,SiTime 綜合采用創(chuàng)新性 MEMS、可編程模擬與快速推出方法,繼續(xù)快速解決極具挑戰(zhàn)性的時序問題。新無線應用的功耗和尺寸要求迫切需要一種新的時序方法。

SiT3901 DCXO 是業(yè)界首款 μPower 數(shù)字控制振蕩器,它能夠提高充電效率,同時縮小占板面積。

制造商:Vishay 產(chǎn)品種類:二極管 - 通用,功率,開關 產(chǎn)品:Switching Diodes 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOD-123 峰值反向電壓:100 V 最大浪涌電流:500 mA If - 正向電流:150 mA 恢復時間:4 ns Vf - 正向電壓:1.2 V Ir - 反向電流 :100 uA 最小工作溫度:- 65 C 最大工作溫度:+ 150 C 資格:AEC-Q101 封裝:Reel 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 商標:Vishay Semiconductors 最大二極管電容:4 pF Pd-功率耗散:350 mW 產(chǎn)品類型:Diodes - General Purpose, Power, Switching 工廠包裝數(shù)量15000 子類別:Diodes & Rectifiers 單位重量:10.300 mg

800V STPOWER MDmesh K6系列, 為這種超級結晶體管技術樹立了高性能和易用性兼?zhèn)涞臉藯U。MDmesh K6 的RDS(on) x 面積參數(shù)在市場上現(xiàn)有800V產(chǎn)品中處于領先水平,能夠實現(xiàn)緊湊的集高功率密度與市場領先的能效于一身新的新設計。

此外,K6系列的閾壓比上一代 MDmesh K5更低,可使用更低的電壓驅動,從而降低功耗并提高能效,主要用于零功耗待機應用。

總柵極電荷 (Qg) 也非常低,可以實現(xiàn)高開關速度和低損耗。

(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝)

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