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+5V兩路電源與SPS的其余的電壓輸入輸出電氣連接點(diǎn)

發(fā)布時(shí)間:2021/11/3 8:44:32 訪問次數(shù):119

SELV通常用于給人機(jī)接口,液晶屏,按鍵等人體可以直接觸摸到的設(shè)備供電,可以避免操作人員遭受電擊,威脅到生命安全,所以,SELV電路與一次側(cè)高壓端之間必須是加強(qiáng)絕緣.

如果一次測(cè)高壓端與SELV電路之間的重復(fù)峰值電壓超過了750V,并且,在絕緣層厚度方向上的電壓應(yīng)力超過了1KV/mm,則還必須增加局部放電測(cè)試認(rèn)證。

如圖4所示三相變頻器中,左下角綠色虛線圍起來的部分就是SELV電路,輔助電源SPS左側(cè)的供給MCU的+24V,+5V兩路電源與SPS的其余的電壓輸入輸出電氣連接點(diǎn)之間,都必須滿足加強(qiáng)絕緣要求。

制造商:Infineon 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:40 V Id-連續(xù)漏極電流:202 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:4 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:2 V Qg-柵極電荷:160 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 175 C Pd-功率耗散:333 W 通道模式:Enhancement 封裝:Tube 商標(biāo):Infineon / IR 配置:Single 高度:15.65 mm 長(zhǎng)度:10 mm 產(chǎn)品類型:MOSFET 工廠包裝數(shù)量50 子類別:MOSFETs 晶體管類型:1 N-Channel 寬度:4.4 mm 零件號(hào)別名:IRF1404PBF SP001561374 單位重量:2 g

BCM2121是GPRS/GSM基帶處理器,給制造商提供用于手機(jī)和PC卡的空前的系統(tǒng)集成,性能和特性.為了使用戶的新產(chǎn)品能加速走向市場(chǎng),Broadcom公司基于BCM2121的手持機(jī)系統(tǒng)解決方案.

每一次局部放電對(duì)絕緣介質(zhì)都會(huì)有一些影響,輕微的局部放電對(duì)電力設(shè)備絕緣的影響較小,絕緣強(qiáng)度的下降較慢;而強(qiáng)烈的局部放電,則會(huì)使絕緣強(qiáng)度很快下降。

實(shí)際上,局部放電現(xiàn)象不僅僅發(fā)生在高壓電氣設(shè)備中,也會(huì)發(fā)生在開關(guān)電源系統(tǒng)中,并且也有相應(yīng)的安規(guī)標(biāo)準(zhǔn)去檢驗(yàn)整個(gè)開關(guān)電源系統(tǒng)的絕緣是否滿足局部放電要求。


(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

SELV通常用于給人機(jī)接口,液晶屏,按鍵等人體可以直接觸摸到的設(shè)備供電,可以避免操作人員遭受電擊,威脅到生命安全,所以,SELV電路與一次側(cè)高壓端之間必須是加強(qiáng)絕緣.

如果一次測(cè)高壓端與SELV電路之間的重復(fù)峰值電壓超過了750V,并且,在絕緣層厚度方向上的電壓應(yīng)力超過了1KV/mm,則還必須增加局部放電測(cè)試認(rèn)證。

如圖4所示三相變頻器中,左下角綠色虛線圍起來的部分就是SELV電路,輔助電源SPS左側(cè)的供給MCU的+24V,+5V兩路電源與SPS的其余的電壓輸入輸出電氣連接點(diǎn)之間,都必須滿足加強(qiáng)絕緣要求。

制造商:Infineon 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:40 V Id-連續(xù)漏極電流:202 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:4 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:2 V Qg-柵極電荷:160 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 175 C Pd-功率耗散:333 W 通道模式:Enhancement 封裝:Tube 商標(biāo):Infineon / IR 配置:Single 高度:15.65 mm 長(zhǎng)度:10 mm 產(chǎn)品類型:MOSFET 工廠包裝數(shù)量50 子類別:MOSFETs 晶體管類型:1 N-Channel 寬度:4.4 mm 零件號(hào)別名:IRF1404PBF SP001561374 單位重量:2 g

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每一次局部放電對(duì)絕緣介質(zhì)都會(huì)有一些影響,輕微的局部放電對(duì)電力設(shè)備絕緣的影響較小,絕緣強(qiáng)度的下降較慢;而強(qiáng)烈的局部放電,則會(huì)使絕緣強(qiáng)度很快下降。

實(shí)際上,局部放電現(xiàn)象不僅僅發(fā)生在高壓電氣設(shè)備中,也會(huì)發(fā)生在開關(guān)電源系統(tǒng)中,并且也有相應(yīng)的安規(guī)標(biāo)準(zhǔn)去檢驗(yàn)整個(gè)開關(guān)電源系統(tǒng)的絕緣是否滿足局部放電要求。


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