1Gb DDR SDRAM HYB25D1G800AE-7,該器件采用先進(jìn)的110nm CMOS工藝制造,芯片面積僅為160mm2,是業(yè)界最小的1Gb DDR SDRAM芯片.

新的1Gb DRAM的封裝是400密爾的66引腳TSOP或在空間受到嚴(yán)格限制應(yīng)用的68針FBGA封裝.所支持的結(jié)構(gòu)有x4,x8和x16.1Gb 雙數(shù)據(jù)速率(DDR)覆蓋了從DDR266到DDR400整個(gè)受歡迎的DDR速率,其工作時(shí)鐘分別是133MHz到200MHz.

為了在每個(gè)模塊得到最高的存儲(chǔ)器密度,Infineon公司采用FBGA封裝的堆棧型來生產(chǎn)4GB注冊模塊.

制造商:Nexperia產(chǎn)品種類:轉(zhuǎn)換 - 電壓電平RoHS: 類型:Bidirectional Dual Voltage Level Translator電源電壓-最大:3.6 V電源電壓-最小:2.8 V最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 85 C安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:WLCSP-25封裝:Reel封裝:Cut Tape封裝:MouseReel商標(biāo):Nexperia數(shù)據(jù)速率:12.5 MB/s邏輯類型:Translator通道數(shù)量:1 Channel工作電源電流:100 uAPd-功率耗散:1000 mW產(chǎn)品類型:Translation - Voltage Levels4500子類別:Logic ICs零件號(hào)別名:934068531014單位重量:4.530 mg

對于需要更強(qiáng) ESD 事件保護(hù)的應(yīng)用，通�？梢圆捎谬R納二極管、金屬氧化物壓敏電阻（MOV）、瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）和二 極管等分立器件。

不過，這些器件會(huì)在信號(hào)線路上造成電容和漏電流增加，因此可能導(dǎo)致信號(hào)完整性問題；這意味著設(shè)計(jì)人員需要仔細(xì)考量，并在性能和可靠性之間進(jìn)行權(quán)衡。

LIN用作“智能”傳感器和以12V工作的執(zhí)行器之間的車載網(wǎng)絡(luò)和通信串行總線。LIN利用一種具有一個(gè)主控制單元和一個(gè)或多個(gè)從單元的主從配置。

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