碳或石墨陽極的單顆和雙顆鋰離子和鋰聚合物充電盒的應用
發(fā)布時間:2021/11/4 19:39:09 訪問次數(shù):268
電子遷移率μch來改善功率晶體的通道通態(tài)電阻，不僅是從制程上做調(diào)整，更是從晶體平面的選擇上做出選擇。在目前已量產(chǎn)的增強型碳化硅功率晶體的晶粒（die）結構來看，大致上可以分為二種，平面式（planar）以及溝槽式（trench）.
這兩種不同形式的結構差異不僅僅在于是否以內(nèi)嵌的形式制造而成，更主要的差異在于功率晶體的通道是由不同的碳化硅晶體平面制成。
硅材料是由純硅所組成,但是碳化硅材料會依照不同的原子排列而有著不同的晶體平面。
當電池電壓下降到再充電閾值時,將會開始新的充電.器件能經(jīng)受住墻上適配器的12V電壓,從而降低系統(tǒng)的總成本.MCP7384X的預設定電壓有4.1V,4.2V,8.2V和8.4V幾種選擇,以適合有碳或石墨陽極的單顆和雙顆鋰離子和鋰聚合物充電盒的應用.
MCP7384x系列組合了高精度,恒壓/恒流調(diào)整,電池預處理,電池溫度檢測,先進的安全計時器,自動充電終止和充電狀態(tài)指示等功能,其封裝為省空間的MSOP封裝.
降低通道導通閾值電壓VT，會造成應用上可能的誤導通現(xiàn)象.
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝）
電子遷移率μch來改善功率晶體的通道通態(tài)電阻，不僅是從制程上做調(diào)整，更是從晶體平面的選擇上做出選擇。在目前已量產(chǎn)的增強型碳化硅功率晶體的晶粒（die）結構來看，大致上可以分為二種，平面式（planar）以及溝槽式（trench）.
這兩種不同形式的結構差異不僅僅在于是否以內(nèi)嵌的形式制造而成，更主要的差異在于功率晶體的通道是由不同的碳化硅晶體平面制成。
硅材料是由純硅所組成,但是碳化硅材料會依照不同的原子排列而有著不同的晶體平面。
當電池電壓下降到再充電閾值時,將會開始新的充電.器件能經(jīng)受住墻上適配器的12V電壓,從而降低系統(tǒng)的總成本.MCP7384X的預設定電壓有4.1V,4.2V,8.2V和8.4V幾種選擇,以適合有碳或石墨陽極的單顆和雙顆鋰離子和鋰聚合物充電盒的應用.
MCP7384x系列組合了高精度,恒壓/恒流調(diào)整,電池預處理,電池溫度檢測,先進的安全計時器,自動充電終止和充電狀態(tài)指示等功能,其封裝為省空間的MSOP封裝.
降低通道導通閾值電壓VT，會造成應用上可能的誤導通現(xiàn)象.
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝）
相關技術資料- 7-18STGWA30IH160DF2 IGBT應用前景簡述
- 7-18最新一代低功耗內(nèi)存LPDDR6標JESD209-6
- 7-18EMI CISPR25 CLASS 5標準應用探究
- 7-18Android 和Linux OS優(yōu)勢特征
- 7-18汽車混合信號微控制器MSPM0G351X-Q1
- 7-184A，6A 3KVRMS雙通道隔離的閘門驅(qū)動器
- 7-17第二代儲能電芯加速替代280Ah電芯應用詳情
- 7-17業(yè)界首款超以太網(wǎng)和 UALink IP 解決方案
- 7-17NVLink 和 NVSwitch 關鍵技術參數(shù)探究
- 7-17“Scale Up + Scale Out” 混合架構應用詳解
- 7-17高速速度比（2.5MHz）RRIO操作放大器簡述
- 7-174-20MA信號調(diào)節(jié)器技術參數(shù)設計
熱門點擊
- 大容量嵌入式RAM和低功耗CoreMark&
- Y橋架構改善低功率輸出和空閑模式時的整體效率
- 可調(diào)頻率(200-500kHz)雙路電壓模式
- 碳或石墨陽極的單顆和雙顆鋰離子和鋰聚合物充電
- 板內(nèi)7-30V的調(diào)整器能提供可調(diào)5Vdc支持
- 互聯(lián)網(wǎng)電話在以太網(wǎng)單端出口處理語音和數(shù)據(jù)降低
- SC233A支持60幀+HDR Mode影像
- 高效率同步降壓轉換器函數(shù)發(fā)生器生成實驗室測試
- 片上的PLL和VCO支持多種GSM/GPRS
- MLA和微型的介質(zhì)多層濾波器小型手提單顆電池
推薦技術資料
- 泰克新發(fā)布的DSA830
- 泰克新發(fā)布的DSA8300在一臺儀器中同時實現(xiàn)時域和頻域分析，DS... [詳細]
公網(wǎng)安備44030402000607
