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DDR5可實(shí)現(xiàn)更優(yōu)的電源效率將工作電壓降低到1.1V

發(fā)布時(shí)間:2021/11/6 21:24:58 訪問次數(shù):205

CT設(shè)備廣泛應(yīng)用于醫(yī)療、工業(yè)或安防等眾多領(lǐng)域。在所有這些應(yīng)用中,探測(cè)器是能否開發(fā)出經(jīng)濟(jì)高效型CT掃描儀的決定因素。

±600 ppm的高線性度(包括光電二極管)還可確保生成無偽影圖像。

艾邁斯歐司朗的AS5951傳感器芯片可簡(jiǎn)化探測(cè)器組件。它將高靈敏度光電二極管陣列和讀取電路整合在單個(gè)CMOS芯片中。

與前代產(chǎn)品相比,AS5951可為相同的傳感區(qū)域提供分辨率更高的圖像。

制造商:Littelfuse 產(chǎn)品種類:自恢復(fù)保險(xiǎn)絲—PPTC 端接類型:SMD/SMT 保持電流:1.1 A 最大電壓:33 V 跳閘電流:1.95 A 額定電流—最大值:20 A 電阻:200 mOhms 封裝 / 箱體:1812 (4532 metric) 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Reel 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 商標(biāo):Littelfuse 高度:1.2 mm 長(zhǎng)度:4.37 mm 安裝風(fēng)格:PCB Mount Pd-功率耗散:800 mW 產(chǎn)品類型:Resettable Fuses - PPTC 工廠包裝數(shù)量1000 子類別:PPTC Resettable Fuses 類型:PolyFuse Resettable PTC 寬度:3.07 mm 單位重量:120 mg

美光長(zhǎng)期以來一直處于定義 PC 行業(yè) DDR5 規(guī)范的最前沿,引領(lǐng)這一開創(chuàng)性技術(shù)的發(fā)展,并通過提供 DDR5 技術(shù)賦能計(jì)劃 (Technology Enablement Program,TEP)助力行業(yè)轉(zhuǎn)型。

通過我們的 DDR5 技術(shù)賦能計(jì)劃,我們加速了生態(tài)系統(tǒng)采用美光行業(yè)領(lǐng)先的產(chǎn)品設(shè)計(jì)、開發(fā)、系統(tǒng)集成和測(cè)試的進(jìn)程,從而為客戶交付更好的 DDR5 性能。

DDR5 可實(shí)現(xiàn)更優(yōu)的電源效率,將工作電壓降低到 1.1V。此外,其特有的功能使未來的芯片密度可從今天的 16Gb 擴(kuò)展到 24Gb、32Gb 及以上,使 DDR5 的模塊密度比 DDR4 DRAM 翻兩番。

(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

CT設(shè)備廣泛應(yīng)用于醫(yī)療、工業(yè)或安防等眾多領(lǐng)域。在所有這些應(yīng)用中,探測(cè)器是能否開發(fā)出經(jīng)濟(jì)高效型CT掃描儀的決定因素。

±600 ppm的高線性度(包括光電二極管)還可確保生成無偽影圖像。

艾邁斯歐司朗的AS5951傳感器芯片可簡(jiǎn)化探測(cè)器組件。它將高靈敏度光電二極管陣列和讀取電路整合在單個(gè)CMOS芯片中。

與前代產(chǎn)品相比,AS5951可為相同的傳感區(qū)域提供分辨率更高的圖像。

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(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

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