LX821低壓降(LDO)調(diào)整器配用27GHz或?qū)崿F(xiàn)更高的SMA性能
發(fā)布時間:2021/11/7 23:52:46 訪問次數(shù):130
EP-SMA 27 GHz組件具有與SMA-6GHz、12GHz和18GHz解決方案相同的占板面積,這意味著通常不需要改變現(xiàn)有布局,即可將頻率擴(kuò)展至27GHz或?qū)崿F(xiàn)更高的SMA性能。此外,該產(chǎn)品采用堅固的高品質(zhì)材料,可支持多達(dá)500次插配。
全新的車用「抗硫化耐高壓電阻」- AH系列。主要應(yīng)用為暴露于高污染環(huán)境中的高壓設(shè)備,包括工業(yè)控制系統(tǒng)、轉(zhuǎn)換器、逆變器、電源、打印設(shè)備、充電設(shè)備、汽車電子、通訊基站等,以及使用于高濃度硫磺氣體區(qū)域,如溫泉區(qū)、采礦區(qū)中的其他高壓電子設(shè)備。
制造商:NXP產(chǎn)品種類:32位微控制器 - MCURoHS: 詳細(xì)信息系列:MPC5607B封裝 / 箱體:LQFP-144資格:AEC-Q100封裝:Tray商標(biāo):NXP Semiconductors濕度敏感性:Yes產(chǎn)品類型:32-bit Microcontrollers - MCU工廠包裝數(shù)量:300子類別:Microcontrollers - MCU
單位重量:1.319 g
Microsemi公司的LX5503是用先進(jìn)的銦鎵磷(InGaP)/砷化鎵(GaAs)異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)射頻(RF)IC制造工藝來制造的,它使用單一3.3V電源,有源偏置以改善熱性能,I/O預(yù)匹配,占位面積3-mm2和0.9mm高的微引線封裝。
增益溫度變化在-40°C到85°C范圍內(nèi)小于2dB。
和Microsemi的LX821低壓降(LDO)調(diào)整器配用時,LX5503在3到4V的輸入電壓,增益變化在不調(diào)整參考電壓范圍內(nèi)低于0.4dB.

(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
EP-SMA 27 GHz組件具有與SMA-6GHz、12GHz和18GHz解決方案相同的占板面積,這意味著通常不需要改變現(xiàn)有布局,即可將頻率擴(kuò)展至27GHz或?qū)崿F(xiàn)更高的SMA性能。此外,該產(chǎn)品采用堅固的高品質(zhì)材料,可支持多達(dá)500次插配。
全新的車用「抗硫化耐高壓電阻」- AH系列。主要應(yīng)用為暴露于高污染環(huán)境中的高壓設(shè)備,包括工業(yè)控制系統(tǒng)、轉(zhuǎn)換器、逆變器、電源、打印設(shè)備、充電設(shè)備、汽車電子、通訊基站等,以及使用于高濃度硫磺氣體區(qū)域,如溫泉區(qū)、采礦區(qū)中的其他高壓電子設(shè)備。
制造商:NXP產(chǎn)品種類:32位微控制器 - MCURoHS: 詳細(xì)信息系列:MPC5607B封裝 / 箱體:LQFP-144資格:AEC-Q100封裝:Tray商標(biāo):NXP Semiconductors濕度敏感性:Yes產(chǎn)品類型:32-bit Microcontrollers - MCU工廠包裝數(shù)量:300子類別:Microcontrollers - MCU
單位重量:1.319 g
Microsemi公司的LX5503是用先進(jìn)的銦鎵磷(InGaP)/砷化鎵(GaAs)異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)射頻(RF)IC制造工藝來制造的,它使用單一3.3V電源,有源偏置以改善熱性能,I/O預(yù)匹配,占位面積3-mm2和0.9mm高的微引線封裝。
增益溫度變化在-40°C到85°C范圍內(nèi)小于2dB。
和Microsemi的LX821低壓降(LDO)調(diào)整器配用時,LX5503在3到4V的輸入電壓,增益變化在不調(diào)整參考電壓范圍內(nèi)低于0.4dB.

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