GaNSense技術(shù)的智能GaNFast氮化鎵功率芯片。GaNSense技術(shù)集成了關(guān)鍵、實(shí)時(shí)、智能的傳感和保護(hù)電路，進(jìn)一步提高了納微半導(dǎo)體在功率半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)先的可靠性和穩(wěn)健性，同時(shí)增加了納微氮化鎵功率芯片技術(shù)的節(jié)能和快充優(yōu)勢。

氮化鎵（GaN）是下一代半導(dǎo)體材料，氮化鎵器件的開關(guān)速度比傳統(tǒng)的硅器件快20倍，在尺寸和重量減半的情況下，可實(shí)現(xiàn)高達(dá)3倍的功率和3倍的充電速度。

HSDL-3203符合IrDA 1.4版本低功率串接紅外模式在9.6到115.2kbits/s數(shù)據(jù)速率的指標(biāo)。

處理器的核ArmR CortexR-M0+正常模式工作高達(dá)72MHz,高速模式高達(dá)96MHz.器件模擬模塊包括有內(nèi)部基準(zhǔn)電壓的16位24路SAR ADC,兩個(gè)高速模擬比較器,每個(gè)包含6位DAC和可編程基準(zhǔn)輸入,一個(gè)12位DAC和1.2V與2.1V基準(zhǔn)電壓(Vref).工作電壓1.71 到 3.6 V,工作溫度 –40到105 C.

GaNSense技術(shù)集成了對系統(tǒng)參數(shù)的實(shí)時(shí)、準(zhǔn)確和快速感應(yīng)，包括電流和溫度的感知。

它的封裝為5x7.5mm 陶瓷封裝。F4500系列的穩(wěn)定度在-10°C到70°C范圍和 -40°C到85°C范圍內(nèi)都是25ppm，50ppm和100ppm。