5線容量SFC05-5氮化鎵功率芯片的實現(xiàn)方案快600%
發(fā)布時間:2021/11/9 18:49:59 訪問次數(shù):102
手提系統(tǒng)經(jīng)常使用多到10個的外部5V數(shù)據(jù)口。因此，使用有5線容量的SFC05-5比小于5線的，能降低元件數(shù)量和板的要求。
SFC05-5是采用Semtech公司專有的固態(tài)硅雪崩半導體技術(shù)制造，和其它工藝相比，這種技術(shù)能加強保護和增加可靠性。器件符合所有電壓免疫標準，包括國際電化學委員會(IEC)的靜電放電保護，快速電瞬變(EFT)和二次閃電的標準。
SFC05-5倒裝式設(shè)計采用JEDEC標準，0.5mm間距和六焊點。
制造商:Infineon產(chǎn)品種類:IGBT 模塊RoHS:N 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules配置:Dual集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1200 V集電極—射極飽和電壓:3.2 V在25 C的連續(xù)集電極電流:225 A柵極—射極漏泄電流:400 nAPd-功率耗散:1.25 kW封裝 / 箱體:62 mm最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 125 C封裝:Tray商標:Infineon Technologies 高度:30.5 mm 長度:106.4 mm 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 安裝風格:Chassis Mount 產(chǎn)品類型:IGBT Modules 系列:IGBT2 Fast 工廠包裝數(shù)量:10 子類別:IGBTs 技術(shù):Si 寬度:61.4 mm
從檢測到保護只需30納秒，GaNSense技術(shù)比分立式的氮化鎵功率芯片的實現(xiàn)方案快 600%。
納微半導體下一代采用GaNSense技術(shù)的GaNFast氮化鎵功率芯片產(chǎn)品，對潛在的系統(tǒng)故障模式提供了高度準確和有效的防護。
整個器件的大小為1.5x1.0x0.65mm。SFC05-5的小外形是裝配工程師能指定每個器件投放面積為1.3x1.8mm.寬輸入電壓范圍為2.7V到28V,輸出電壓可編程高達26V,關(guān)斷電流為0.3μA.
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）
手提系統(tǒng)經(jīng)常使用多到10個的外部5V數(shù)據(jù)口。因此，使用有5線容量的SFC05-5比小于5線的，能降低元件數(shù)量和板的要求。
SFC05-5是采用Semtech公司專有的固態(tài)硅雪崩半導體技術(shù)制造，和其它工藝相比，這種技術(shù)能加強保護和增加可靠性。器件符合所有電壓免疫標準，包括國際電化學委員會(IEC)的靜電放電保護，快速電瞬變(EFT)和二次閃電的標準。
SFC05-5倒裝式設(shè)計采用JEDEC標準，0.5mm間距和六焊點。
制造商:Infineon產(chǎn)品種類:IGBT 模塊RoHS:N 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules配置:Dual集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1200 V集電極—射極飽和電壓:3.2 V在25 C的連續(xù)集電極電流:225 A柵極—射極漏泄電流:400 nAPd-功率耗散:1.25 kW封裝 / 箱體:62 mm最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 125 C封裝:Tray商標:Infineon Technologies 高度:30.5 mm 長度:106.4 mm 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 安裝風格:Chassis Mount 產(chǎn)品類型:IGBT Modules 系列:IGBT2 Fast 工廠包裝數(shù)量:10 子類別:IGBTs 技術(shù):Si 寬度:61.4 mm
從檢測到保護只需30納秒，GaNSense技術(shù)比分立式的氮化鎵功率芯片的實現(xiàn)方案快 600%。
納微半導體下一代采用GaNSense技術(shù)的GaNFast氮化鎵功率芯片產(chǎn)品，對潛在的系統(tǒng)故障模式提供了高度準確和有效的防護。
整個器件的大小為1.5x1.0x0.65mm。SFC05-5的小外形是裝配工程師能指定每個器件投放面積為1.3x1.8mm.寬輸入電壓范圍為2.7V到28V,輸出電壓可編程高達26V,關(guān)斷電流為0.3μA.
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