穩(wěn)定度比正負20ppm更嚴格的地方TO-39金屬管殼封裝
發(fā)布時間:2021/11/14 15:07:26 訪問次數(shù):169
小型塑料表面封裝和通孔封裝TO-92的小信號晶體管。目前ST供應(yīng)的小型表面封裝包括SOT-323、SOT-223、SOT-89和 SOT-23。過去,ST的小信號晶體管采用TO-18 和 TO-39金屬管殼封裝。
這個產(chǎn)品線包括幾乎可用于所有行業(yè)和應(yīng)用領(lǐng)域的各種著名的工業(yè)標準產(chǎn)品編號。
應(yīng)用領(lǐng)域包括普通通斷開關(guān)、偏壓電源電路、發(fā)光二極管(LED)和繼電器驅(qū)動器、紅外線二極管放大器,以及RGB線圈驅(qū)動器和電信有線接口電路。
制造商:Texas Instruments產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS: 詳細信息技術(shù):Si安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:VSONP-8晶體管極性:N-Channel通道數(shù)量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:40 VId-連續(xù)漏極電流:121 ARds On-漏源導通電阻:4.3 mOhmsVgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 VVgs th-柵源極閾值電壓:1.5 VQg-柵極電荷:27 nC最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 150 CPd-功率耗散:120 W通道模式:Enhancement商標名:NexFET封裝:Reel封裝:Cut Tape封裝:MouseReel商標:Texas Instruments配置:Single下降時間:2.6 ns正向跨導 - 最小值:100 S高度:1 mm長度:6 mm產(chǎn)品類型:MOSFET上升時間:8.8 ns系列:CSD18503Q5A工廠包裝數(shù)量:2500子類別:MOSFETs晶體管類型:1 N-Channel典型關(guān)閉延遲時間:15 ns典型接通延遲時間:4.5 ns寬度:4.9 mm單位重量:240 mg
為確保高可靠性、高增益特性和快速開關(guān)性能,這個小信號晶體管系列產(chǎn)品采用了當今最先進的硅平面技術(shù)。
在使用過采樣方法時,在輸入信號中添加一些抖動噪聲可改善分辨率誤差。許多實際應(yīng)用中,噪聲小幅增加可大幅提高測量分辨率。
小型塑料表面封裝和通孔封裝TO-92的小信號晶體管。目前ST供應(yīng)的小型表面封裝包括SOT-323、SOT-223、SOT-89和 SOT-23。過去,ST的小信號晶體管采用TO-18 和 TO-39金屬管殼封裝。
這個產(chǎn)品線包括幾乎可用于所有行業(yè)和應(yīng)用領(lǐng)域的各種著名的工業(yè)標準產(chǎn)品編號。
應(yīng)用領(lǐng)域包括普通通斷開關(guān)、偏壓電源電路、發(fā)光二極管(LED)和繼電器驅(qū)動器、紅外線二極管放大器,以及RGB線圈驅(qū)動器和電信有線接口電路。
制造商:Texas Instruments產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS: 詳細信息技術(shù):Si安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:VSONP-8晶體管極性:N-Channel通道數(shù)量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:40 VId-連續(xù)漏極電流:121 ARds On-漏源導通電阻:4.3 mOhmsVgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 VVgs th-柵源極閾值電壓:1.5 VQg-柵極電荷:27 nC最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 150 CPd-功率耗散:120 W通道模式:Enhancement商標名:NexFET封裝:Reel封裝:Cut Tape封裝:MouseReel商標:Texas Instruments配置:Single下降時間:2.6 ns正向跨導 - 最小值:100 S高度:1 mm長度:6 mm產(chǎn)品類型:MOSFET上升時間:8.8 ns系列:CSD18503Q5A工廠包裝數(shù)量:2500子類別:MOSFETs晶體管類型:1 N-Channel典型關(guān)閉延遲時間:15 ns典型接通延遲時間:4.5 ns寬度:4.9 mm單位重量:240 mg
為確保高可靠性、高增益特性和快速開關(guān)性能,這個小信號晶體管系列產(chǎn)品采用了當今最先進的硅平面技術(shù)。
在使用過采樣方法時,在輸入信號中添加一些抖動噪聲可改善分辨率誤差。許多實際應(yīng)用中,噪聲小幅增加可大幅提高測量分辨率。
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