Kelvin檢測選項直接控制負載端的輸出電壓實現(xiàn)高速調制
發(fā)布時間:2021/11/15 23:21:20 訪問次數(shù):532
邊發(fā)射激光器的表現(xiàn)在于:易于實現(xiàn)二維平面和光電集成;圓形光束易于實現(xiàn)與光纖的有效耦合;可以實現(xiàn)高速調制,能夠應用于長距離、高速率的光纖通信系統(tǒng).
有源區(qū)尺寸極小,可實現(xiàn)高封裝密度和低閾值電流;芯片生長后無須解理,封裝后即可進行在片實驗;在很寬的溫度和電流范圍內都以單縱模工作;價格低。
VCSEL的優(yōu)異性能已引起廣泛關注,成為國際上研究的熱點。這十多年來,VCSEL在結構、材料、波長和應用領域都得到飛速發(fā)展,部分產品已進入市場。
產品種類: 電源開關 IC - 配電
RoHS: 詳細信息
類型: High Side
輸出端數(shù)量: 1 Output
輸出電流: 44 A
電流限制: 90 A
導通電阻—最大值: 9 mOhms
運行時間—最大值: 400 us
空閑時間—最大值: 110 us
工作電源電壓: 5 V to 58 V
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-7
系列: High-Current PROFET
資格: AEC-Q100
封裝: Tube
商標: Infineon Technologies
Pd-功率耗散: 170 W
產品: Power Switches
產品類型: Power Switch ICs - Power Distribution
子類別: Switch ICs
電源電壓-最大: 58 V
電源電壓-最小: 5 V
商標名: PROFET
零件號別名: SP000385912 BTS5851TMBXK BTS500851TMBAKSA1
單位重量: 260.400 mg
其6引腳TDFN封裝配合裸露焊盤,能夠在+70℃下連續(xù)耗散1.9W的功率。當然,任何封裝的散熱能力都會隨溫度的升高而下降,+125℃時,該封裝能夠耗散的功率仍然高于標準SO-8。
其它器件特性包括:Kelvin檢測選項,可以直接控制負載端的輸出電壓,通過SET引腳設置3.3V、5V及其它輸出電壓,還可用于使能控制。
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝)
邊發(fā)射激光器的表現(xiàn)在于:易于實現(xiàn)二維平面和光電集成;圓形光束易于實現(xiàn)與光纖的有效耦合;可以實現(xiàn)高速調制,能夠應用于長距離、高速率的光纖通信系統(tǒng).
有源區(qū)尺寸極小,可實現(xiàn)高封裝密度和低閾值電流;芯片生長后無須解理,封裝后即可進行在片實驗;在很寬的溫度和電流范圍內都以單縱模工作;價格低。
VCSEL的優(yōu)異性能已引起廣泛關注,成為國際上研究的熱點。這十多年來,VCSEL在結構、材料、波長和應用領域都得到飛速發(fā)展,部分產品已進入市場。
產品種類: 電源開關 IC - 配電
RoHS: 詳細信息
類型: High Side
輸出端數(shù)量: 1 Output
輸出電流: 44 A
電流限制: 90 A
導通電阻—最大值: 9 mOhms
運行時間—最大值: 400 us
空閑時間—最大值: 110 us
工作電源電壓: 5 V to 58 V
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-7
系列: High-Current PROFET
資格: AEC-Q100
封裝: Tube
商標: Infineon Technologies
Pd-功率耗散: 170 W
產品: Power Switches
產品類型: Power Switch ICs - Power Distribution
子類別: Switch ICs
電源電壓-最大: 58 V
電源電壓-最小: 5 V
商標名: PROFET
零件號別名: SP000385912 BTS5851TMBXK BTS500851TMBAKSA1
單位重量: 260.400 mg
其6引腳TDFN封裝配合裸露焊盤,能夠在+70℃下連續(xù)耗散1.9W的功率。當然,任何封裝的散熱能力都會隨溫度的升高而下降,+125℃時,該封裝能夠耗散的功率仍然高于標準SO-8。
其它器件特性包括:Kelvin檢測選項,可以直接控制負載端的輸出電壓,通過SET引腳設置3.3V、5V及其它輸出電壓,還可用于使能控制。
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝)