USB-C雙角色輸電設備線路檢測的無負載損耗小于30mW
發(fā)布時間:2021/11/16 21:04:31 訪問次數(shù):493
InnoSwitch4-CZ系列產品集成了初級和次級控制器和安全反饋,和ClampZero系列組合大大地降低系統(tǒng)和初級開關損耗,從而具有極高的功率密度.
InnoSwitch4-CZ系列還集成了多種保護特性包括輸出過流和過壓限制,以及超溫關斷.
同步整流驅動器和次級邊的檢測,CV/CC精度和外接元件無關,采用外接檢測電阻可調整輸出電流檢測.
效率高達95%,包括線路檢測的無負載損耗小于30mW.主要用在高達110W的高密度反激設計,高效率CV/CC電源和高效率USB PD適配器.
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-263
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V
Id-連續(xù)漏極電流: 11 A
Rds On-漏源導通電阻: 478 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3.5 V
Qg-柵極電荷: 20 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 63 W
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
商標: Infineon Technologies
下降時間: 10 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 6 ns
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 48 ns
典型接通延遲時間: 9 ns
零件號別名: IPB65R225C7 SP002447552
單位重量: 324 mg
這可以實現(xiàn)在電池供電設備之間保存和共享電能的新用例，并擴展設備互操作性。Type-C 規(guī)范定義的 USB DRP功能允許任何內置意法半導體芯片的USB設備為所連設備的電池充電。
TCPP03-M20采用意法半導體的BCD制造工藝。
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝）
InnoSwitch4-CZ系列產品集成了初級和次級控制器和安全反饋,和ClampZero系列組合大大地降低系統(tǒng)和初級開關損耗,從而具有極高的功率密度.
InnoSwitch4-CZ系列還集成了多種保護特性包括輸出過流和過壓限制,以及超溫關斷.
同步整流驅動器和次級邊的檢測,CV/CC精度和外接元件無關,采用外接檢測電阻可調整輸出電流檢測.
效率高達95%,包括線路檢測的無負載損耗小于30mW.主要用在高達110W的高密度反激設計,高效率CV/CC電源和高效率USB PD適配器.
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-263
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V
Id-連續(xù)漏極電流: 11 A
Rds On-漏源導通電阻: 478 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3.5 V
Qg-柵極電荷: 20 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 63 W
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
商標: Infineon Technologies
下降時間: 10 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 6 ns
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 48 ns
典型接通延遲時間: 9 ns
零件號別名: IPB65R225C7 SP002447552
單位重量: 324 mg
這可以實現(xiàn)在電池供電設備之間保存和共享電能的新用例，并擴展設備互操作性。Type-C 規(guī)范定義的 USB DRP功能允許任何內置意法半導體芯片的USB設備為所連設備的電池充電。
TCPP03-M20采用意法半導體的BCD制造工藝。
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝）
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