AI、IoT等技術(shù)推動消費電子和大規(guī)模數(shù)據(jù)中心的快速發(fā)展，市場對存儲的需求呈現(xiàn)白熱化的趨勢。尤其在IoT領(lǐng)域，產(chǎn)品的功耗和尺寸一直是行業(yè)不斷尋求突破的方向。對于存儲器而言，低功耗、小體積、高運行速度等關(guān)鍵特性也逐漸成為打入IoT應(yīng)用的必要條件。

萬物互聯(lián)時代，數(shù)據(jù)流源源不斷；同時，算力的提升推動了計算結(jié)構(gòu)的變化——從過去的端到云，變成了現(xiàn)在的云到端。這一過程中，不僅要求物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備擁有網(wǎng)絡(luò)連接能力，還需要一些基礎(chǔ)的計算能力、即主芯片的算力，這也意味著端側(cè)的算法更龐大、更復(fù)雜，存儲算法代碼的存儲器容量也隨之增加。

全新的先進邏輯芯片布線工藝技術(shù)，可微縮到3納米及以下技術(shù)節(jié)點。

應(yīng)用材料公司全新的Endura® Copper Barrier Seed IMS™解決方案在高真空條件下將七種不同工藝技術(shù)集成到了一個系統(tǒng)中，從而使芯片性能和功耗得到改善。

雖然晶體管尺寸縮小能夠使其性能提升，但這對互連布線中的影響卻恰恰相反：互連線越細，電阻越大，導致性能降低和功耗增加。從7納米節(jié)點到3納米節(jié)點，如果沒有材料工程技術(shù)上的突破，互連通孔電阻將增加10倍，抵消了晶體管縮小的優(yōu)勢。

邏輯芯片制造企業(yè)55nm技術(shù)節(jié)點的產(chǎn)品上取得了認證突破，表明公司光刻膠產(chǎn)品已具備55nm平臺后段金屬布線層的工藝要求。

受該利好消息影響，今天南大光電股價開盤大漲，截至收盤股價上漲11.17%，收于35.19元/股。

資料顯示，隨著芯片跨入納米級，半導體光刻膠的波長也在不斷縮短，已經(jīng)由紫外寬譜逐步發(fā)展到g線（436nm）、i線（365nm）、KrF（248nm）、ArF（193nm）、ArF Immersion 浸潤式，以及最先進的EUV（<13.5nm）線水平。

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