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控制IC的相同功率模塊并聯(lián)SM-ChiP模塊中實現(xiàn)抗干擾功能

發(fā)布時間:2021/11/22 13:09:14 訪問次數(shù):123

西門子的mPower解決方案幫助我們做到了以前難以實現(xiàn)的工作,在其助力下,我們現(xiàn)在可以在大型模擬電路的流片過程中,充滿信心地評估EM/IR。

除了出色的模擬功能之外,西門子全新的數(shù)字化 mPower 可擴展式 EM/IR 引擎還可為所有數(shù)字 IC 設(shè)計進行分析。

這種數(shù)字化解決方案可以輕松地集成到現(xiàn)有各種設(shè)計流程之中,提供世界一流的電源分析功能,每臺機器僅需消耗很低的存儲容量即可實現(xiàn),即便對于最大規(guī)模的數(shù)字設(shè)計也依然適用。

可以提高輔助電源系統(tǒng)效率、簡化驅(qū)動電路設(shè)計,降低散熱成本,大幅度減少輔助開關(guān)電源成本。

SiC MOS由于具有更小的開關(guān)損耗,這可使客戶可以直接將裝置通過散熱片安裝在PCB上,無需風(fēng)冷散熱,這極大減少了制造成本,提高了系統(tǒng)的可靠性。

與使用硅器件相比,更小的損耗同時意味著可以工作在更高的開關(guān)頻率,從而減小電源體積和重量,有助于工業(yè)設(shè)備實現(xiàn)顯著小型化、高可靠性和節(jié)能化。

憑借冗余架構(gòu)實現(xiàn)對單粒子干擾(single-event upsets)免疫,將兩個具有容錯控制 IC 的相同功率模塊并聯(lián),封裝于高密度 SM-ChiP模塊中實現(xiàn)抗干擾功能。

從電源到負載點的完整解決方案由四個 SM-ChiP 組成:一個 BCM3423(標(biāo)稱 100V、300 瓦 K = 1/3 的母線轉(zhuǎn)換器,采用 34 x 23 毫米封裝)、一個 PRM2919(33V 標(biāo)稱 200W 穩(wěn)壓器.

采用 29 x 19 毫米封裝)和兩個 VTM2919 電流倍增器(一個 K = 1/32、電流為 150A 時,輸出電壓為 0.8V;一個 K = 1/8,電流為 25A 時,輸出電壓為 3.4V)。

(素材來源:eepw.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

西門子的mPower解決方案幫助我們做到了以前難以實現(xiàn)的工作,在其助力下,我們現(xiàn)在可以在大型模擬電路的流片過程中,充滿信心地評估EM/IR。

除了出色的模擬功能之外,西門子全新的數(shù)字化 mPower 可擴展式 EM/IR 引擎還可為所有數(shù)字 IC 設(shè)計進行分析。

這種數(shù)字化解決方案可以輕松地集成到現(xiàn)有各種設(shè)計流程之中,提供世界一流的電源分析功能,每臺機器僅需消耗很低的存儲容量即可實現(xiàn),即便對于最大規(guī)模的數(shù)字設(shè)計也依然適用。

可以提高輔助電源系統(tǒng)效率、簡化驅(qū)動電路設(shè)計,降低散熱成本,大幅度減少輔助開關(guān)電源成本。

SiC MOS由于具有更小的開關(guān)損耗,這可使客戶可以直接將裝置通過散熱片安裝在PCB上,無需風(fēng)冷散熱,這極大減少了制造成本,提高了系統(tǒng)的可靠性。

與使用硅器件相比,更小的損耗同時意味著可以工作在更高的開關(guān)頻率,從而減小電源體積和重量,有助于工業(yè)設(shè)備實現(xiàn)顯著小型化、高可靠性和節(jié)能化。

憑借冗余架構(gòu)實現(xiàn)對單粒子干擾(single-event upsets)免疫,將兩個具有容錯控制 IC 的相同功率模塊并聯(lián),封裝于高密度 SM-ChiP模塊中實現(xiàn)抗干擾功能。

從電源到負載點的完整解決方案由四個 SM-ChiP 組成:一個 BCM3423(標(biāo)稱 100V、300 瓦 K = 1/3 的母線轉(zhuǎn)換器,采用 34 x 23 毫米封裝)、一個 PRM2919(33V 標(biāo)稱 200W 穩(wěn)壓器.

采用 29 x 19 毫米封裝)和兩個 VTM2919 電流倍增器(一個 K = 1/32、電流為 150A 時,輸出電壓為 0.8V;一個 K = 1/8,電流為 25A 時,輸出電壓為 3.4V)。

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