SiC器件在這種模式下通常更堅(jiān)固，因?yàn)檫@些垂直器件會(huì)吸收其體積中的熱量，而GaN HEMT是在超薄二維電子氣中產(chǎn)生熱量的橫向器件。SiC在線性模式應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)顯示了SiC常開JFET，SiC MOSFET和Si MOSFET 的歸一化VTH對(duì)溫度特性。

Si MOSFET，SiC JFET和Si MOSFET的V TH隨溫度的標(biāo)準(zhǔn)化變化情況。

顯然，只有常導(dǎo)通的SiC FET才能避免VTH隨溫度下降。如果將某個(gè)設(shè)備用作電流源，或者甚至是在故意緩慢開關(guān)的固態(tài)斷路器中，則將時(shí)間花費(fèi)在低電流，低(VGS— VTH)的范圍內(nèi)。

由于使用4100T的用戶可以同時(shí)測(cè)量多達(dá)4個(gè)不同位置的溫度，因此執(zhí)行多點(diǎn)控制功能所不能缺少的控制箱可以進(jìn)一步減少，這樣有助于縮小方案大小，也可節(jié)省系統(tǒng)成本。

此外，每一通道的讀取速度可以高達(dá)1kHz，因此熱反應(yīng)會(huì)更快，讓溫度可以更易受控，并確保先進(jìn)應(yīng)用的溫度更加一致，相關(guān)的應(yīng)用包括快速熱處理、激光退火、原子層沉積以及其他先進(jìn)的沉積技術(shù)。

這款多通道的光纖溫度計(jì)可按照特殊應(yīng)用發(fā)射可配置波長(zhǎng)，因此其準(zhǔn)確度、可重復(fù)性和可靠性都特別高，而且讀取速度也較快，適用于要求極為嚴(yán)格的溫度測(cè)量工作。

AndesCore® D45是晶心科技RISC-V家族45系列成員之一，采用順序執(zhí)行的8級(jí)雙發(fā)射超純量技術(shù)，具有優(yōu)化的存儲(chǔ)流水線設(shè)計(jì)以及進(jìn)階分支預(yù)測(cè)功能，同時(shí)支持符合IEEE754的單/雙精度浮點(diǎn)運(yùn)算單元(FPU)及RISC-V P擴(kuò)展指令(DSP/SIMD)。

45系列內(nèi)核也具有區(qū)域內(nèi)存(local memory)支持的儲(chǔ)存子系統(tǒng)，以及可配置的指令及數(shù)據(jù)高速緩存，對(duì)支持海量存儲(chǔ)器的SoC例如HPM6000系列，可進(jìn)一步提升其軟件效能。

D45核心非常適合用于對(duì)響應(yīng)時(shí)間和實(shí)時(shí)準(zhǔn)確性有特別要求的嵌入式應(yīng)用產(chǎn)品。