電流傳感器芯片的兩款最新開發(fā)套件。這兩款開發(fā)套件可為工程師呈現(xiàn)產(chǎn)品設(shè)計(jì)中不同芯片功能的實(shí)際預(yù)覽，同時(shí)優(yōu)化研發(fā)設(shè)計(jì)與資源分配。

開發(fā)套件使工程師可以研究 Melexis 電流傳感器芯片的功能，從而縮短客戶開發(fā)時(shí)間，加速項(xiàng)目完成。

其中一款開發(fā)套件可以對采用 IMC-Hall® 技術(shù)（帶或不帶屏蔽罩）的芯片進(jìn)行測試；另一款可以對采用基于磁芯的傳統(tǒng)霍爾技術(shù)的芯片進(jìn)行測試。借助這兩款開發(fā)套件，工程師能夠驗(yàn)證具有不同傳感器功能的硬件，輕松應(yīng)對不同的電流感應(yīng)范圍。

高度集成的InnoSwitch™3-TN系列恒壓/恒流離線反激式開關(guān)IC。InnoSwitch3-TN IC采用符合安規(guī)標(biāo)準(zhǔn)的薄型MinSOP™-16A封裝，并且內(nèi)部集成725V初級MOSFET、初次級間隔離的反饋機(jī)制、同步整流和次級側(cè)控制，可簡化電源設(shè)計(jì)，非常適合高達(dá)21W的家電和工業(yè)輔助電源應(yīng)用。

InnoSwitch3-TN器件支持智能連接電器所需的高輸出電流應(yīng)用，效率高達(dá)90%。

先進(jìn)的InnoSwitch3-TN反激式控制器可在整個負(fù)載范圍內(nèi)提供恒定的效率，并且空載功耗低于5mW。FluxLink™通信技術(shù)提供的靈活性意味著可以輕松實(shí)現(xiàn)正負(fù)輸出。

在芯片可靠性方面，AW9364的ESD能力達(dá)到了HBM±8KV，抗閂鎖效應(yīng)(Latch-Up)達(dá)到了±450mA。AW9364同時(shí)提供業(yè)界最小的DFN2x2-8L封裝，和QFN3x3-16L封裝相比，節(jié)省PCB面積55%以上。

600 V SUPERFETò VMOSFET系列。這些高性能器件使電源能滿足嚴(yán)苛的能效規(guī)定，如80 PLUS Titanium，尤其是在極具挑戰(zhàn)性的10%負(fù)載條件下。

600 V SUPERFET系列下的三個產(chǎn)品組--FAST、Easy Drive和FRFET經(jīng)過優(yōu)化，可在各種不同的應(yīng)用和拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中提供領(lǐng)先同類的性能。

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