BC66F2123工作電壓為2.2V~3.6V;MCU具有1K×14 Flash ROM、64×8 RAM、32×8 EEPROM、3通道ADC。可編程動態(tài)調(diào)整發(fā)射功率最高達+13dBm，射頻特性符合ETSI/FCC規(guī)范。

標準的 3.3V CMOS 電源就可以驅(qū)動S9706(X)，它比三色影像感應(yīng)器速度更快成本更低。較之目前的分立式三色光電二極管其準確性更高，更易使用。

封裝則提供24/28-pin SSOP、24/28-pin QFN及32-pin QFN，腳位相容于HT66F3195、HT66F3185同類型封裝。

BLE 5.2核心整合高性能的射頻及調(diào)制解調(diào)器(MODEM)，內(nèi)建直流變換器(DC-DC Converter)及線性穩(wěn)壓器(LDO)可支持寬廣范圍的單電源供電，接收器(Receiver, RX)支持超過70 dB的自動增益控制(Automatic Gain Control)，靈敏度(Sensitivity)可高達-94 dBm.

低耗電的發(fā)送器(Transmitter, TX)及接收器(Receiver, RX)及提供深度休眠模式(Deep-Sleep Mode)及暫停模式(Power-Down Mode)等優(yōu)良的低功耗模式。

該器件與“內(nèi)部”CMOS處理電子元件相結(jié)合，可完全集成在單個硅芯片上。

第十代功率MOSFET達到了最高電源效率，第十代功率MOSFET在效率和低功耗方面取得了長足進步。舉例來說，在用于臺式計算計中DDR類SRAM的直流-直流轉(zhuǎn)換器中，當(dāng)將5V的輸入電壓轉(zhuǎn)換成1.8V時，R2J20651NP取得了96.5%的業(yè)界最高的電源效率，并有助節(jié)省電源。

通過采用高散熱/低損耗封裝技術(shù)和瑞薩公司的第十代MOSFET器件，實現(xiàn)了6 mm x 6 mm的小型40引腳QFN封裝。與以往瑞薩公司8mm x 8 mm的封裝相比，R2J20651NP減少了一半的占位面積。

此外,由于它可以處理高達35A的電流，因此能夠很輕松的有用高密度直流-直流轉(zhuǎn)換器。