線路檢測的無負(fù)載損耗小于30mW滿足EcoSmart™能量效率
發(fā)布時間:2021/12/17 17:50:58 訪問次數(shù):779
InnoSwitch4-CZ和ClampZero組合大大地降低系統(tǒng)和初級開關(guān)損耗,允許有極高的功率密度.InnoSwitch4-CZ系列還集成了多個保護(hù)特性包括輸出過壓和過流限制與超溫關(guān)斷.
效率高達(dá)96%,包括線路檢測的無負(fù)載損耗小于30mW,滿足EcoSmart™能量效率.
器件的增強(qiáng)性隔離大于4000VAC,100%產(chǎn)品進(jìn)行HIPOT測試,取得UL1577和TUV (EN60950)安全認(rèn)證.主要用在高達(dá)100W的高密度反激電源,高效率CV/CC電源和高效率USB PD適配器.
索尼開發(fā)出的全新結(jié)構(gòu)是堆疊式 CMOS 圖像傳感器技術(shù)的一項進(jìn)步。
索尼使用專有的堆疊技術(shù)，將光電二極管和像素晶體管封裝在分離的基片上，一個堆疊在另一個上面。相比之下，在傳統(tǒng)的堆疊式 CMOS 圖像傳感器中，光電二極管和像素晶體管并排位于同一基片上。
SAMA5D27C-CNVAO是高性能超低功耗基于ARM Cortex-A5核的MPU,工作頻率高達(dá)500MHz.支持多種存儲器如DDR2, DDR3, DDR3L, LPDDR1, LPDDR2, LPDDR3和QSPI閃存,以及連接和用戶接口應(yīng)用的功能強(qiáng)大外設(shè).
此外還提供先進(jìn)的安全特性(ARM TrustZone®,篡改檢測,安全數(shù)據(jù)存儲等)以及高性能加密處理器AES, SHA和 TRNG.和國際標(biāo)準(zhǔn)ISO-TS-16949兼容,器件還適合于汽車應(yīng)用.
SAMA5D27C-CNVAO是高性能基于ARM Cortex-A5處理器的能量效率嵌入MPU,集成了用于加速多媒體和信號處理的ARM NEON SIMD引擎,可配置的128KB L2緩存器,用于高精度計算和可靠性能的浮點(diǎn)單元,以及高數(shù)據(jù)帶寬架構(gòu).
(素材來源：eccn和21ic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）
InnoSwitch4-CZ和ClampZero組合大大地降低系統(tǒng)和初級開關(guān)損耗,允許有極高的功率密度.InnoSwitch4-CZ系列還集成了多個保護(hù)特性包括輸出過壓和過流限制與超溫關(guān)斷.
效率高達(dá)96%,包括線路檢測的無負(fù)載損耗小于30mW,滿足EcoSmart™能量效率.
器件的增強(qiáng)性隔離大于4000VAC,100%產(chǎn)品進(jìn)行HIPOT測試,取得UL1577和TUV (EN60950)安全認(rèn)證.主要用在高達(dá)100W的高密度反激電源,高效率CV/CC電源和高效率USB PD適配器.
索尼開發(fā)出的全新結(jié)構(gòu)是堆疊式 CMOS 圖像傳感器技術(shù)的一項進(jìn)步。
索尼使用專有的堆疊技術(shù)，將光電二極管和像素晶體管封裝在分離的基片上，一個堆疊在另一個上面。相比之下，在傳統(tǒng)的堆疊式 CMOS 圖像傳感器中，光電二極管和像素晶體管并排位于同一基片上。
SAMA5D27C-CNVAO是高性能超低功耗基于ARM Cortex-A5核的MPU,工作頻率高達(dá)500MHz.支持多種存儲器如DDR2, DDR3, DDR3L, LPDDR1, LPDDR2, LPDDR3和QSPI閃存,以及連接和用戶接口應(yīng)用的功能強(qiáng)大外設(shè).
此外還提供先進(jìn)的安全特性(ARM TrustZone®,篡改檢測,安全數(shù)據(jù)存儲等)以及高性能加密處理器AES, SHA和 TRNG.和國際標(biāo)準(zhǔn)ISO-TS-16949兼容,器件還適合于汽車應(yīng)用.
SAMA5D27C-CNVAO是高性能基于ARM Cortex-A5處理器的能量效率嵌入MPU,集成了用于加速多媒體和信號處理的ARM NEON SIMD引擎,可配置的128KB L2緩存器,用于高精度計算和可靠性能的浮點(diǎn)單元,以及高數(shù)據(jù)帶寬架構(gòu).
(素材來源：eccn和21ic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）
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