ICL5102是高度集成多模式(CrCM和DCM) PFC和諧振HB組合控制器.單個(gè)控制器集成PFV和HB使得兩級(jí)能協(xié)調(diào)工作,從而減少外接元件和優(yōu)化性能.

兩級(jí)方案把輸出電流調(diào)整功能分成PFC功能,使得輸出電壓和電流變化變低,允許有低THD,高功率因素和更大能力耐受AC線電壓波動(dòng).

支持通用AC輸入電壓90V-305Vrms,THD優(yōu)化保證了低諧波失真,<5%的總諧波失真(THD)低到30%正常負(fù)載.器件還集成了高邊MOSFET驅(qū)動(dòng)器.

第一個(gè)波形發(fā)生器配置為200 Hz三角波，峰峰值幅度為4 V，偏移為0 V。第二個(gè)波形發(fā)生器也應(yīng)配置為200 Hz三角波，峰峰值幅度為4 V，偏移為0 V，但相位為180°。示波器的通道1應(yīng)與1+連接到第一個(gè)波形發(fā)生器W1的輸出，與1-連接到W2的輸出。通道2應(yīng)連接到標(biāo)注2+和2-處，并設(shè)置為每格1 V。

x軸是任意波形發(fā)生器的輸出，y軸是使用2+和2-輸入的示波器通道2。通過(guò)改變R3的值，尾電流電平對(duì)電路增益的影響（觀察通過(guò)原點(diǎn)的直線的斜率）和對(duì)線性輸入范圍的影響，以及當(dāng)電路飽和時(shí)，觀察增益非線性下降的形狀。

大容量 NVMe U.2 工業(yè)企業(yè)級(jí) 系列固態(tài)硬盤(pán) (SSD) 樣品，該產(chǎn)品采用高品質(zhì)的3D TLC(每單元3bit)NAND和板載DRAM設(shè)計(jì)，可在工業(yè)溫度范圍(-40oC 至 +85oC)內(nèi)提供一致的低延遲和高 IOPS。

這兩種解決方案還支持Z-Wave 800標(biāo)準(zhǔn)的S2安全功能和Silicon Labs的Secure Vault™安全功能，成為了全球首款通過(guò)PSA 3級(jí)安全認(rèn)證，具有行業(yè)最高安全等級(jí)認(rèn)證的無(wú)線SoC和模塊。

G7200 NVME U.2 系列固態(tài)硬盤(pán)為用戶提供堅(jiān)固耐用的工業(yè)級(jí)品質(zhì),并且具有企業(yè)級(jí)穩(wěn)定讀寫(xiě)性能。