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雙層微帶陣列天線單元尺寸得到端口的輸入阻抗及S參數(shù)

發(fā)布時(shí)間:2021/12/25 17:39:27 訪問(wèn)次數(shù):722

優(yōu)化2X2陣列天線的陣元間距及各饋線尺寸,可以得到最佳的天線各參數(shù)性能。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),當(dāng)陣元y方向間距為22mm,x方向間距為20mm時(shí),遠(yuǎn)場(chǎng)增益和阻抗匹配設(shè)計(jì)得到最佳。

對(duì)于仿真優(yōu)化模型中各貼片尺寸及耦合間距,當(dāng)下層尺寸w為5.2mm時(shí),上層尺寸s為5mm,耦合間距t為3mm時(shí),遠(yuǎn)場(chǎng)增益為6.8dB,帶寬為500MHz。

由以上的雙層微帶陣列天線單元的各尺寸為基礎(chǔ),建立雙層2X2陣列天線的模型并仿真優(yōu)化,相應(yīng)各饋線阻抗的計(jì)算方式采用帶狀線阻抗計(jì)算方式,以利于陣列天線的阻抗匹配設(shè)計(jì)。

它能夠計(jì)算任意形狀無(wú)源結(jié)構(gòu)的電磁場(chǎng)問(wèn)題,并以其無(wú)可媲美的仿真精準(zhǔn)度和可靠性、迅捷的仿真速度、易于上手的操作界面、成熟可靠的自適應(yīng)網(wǎng)格剖分技術(shù),成為了業(yè)內(nèi)三維電磁仿真的首選軟件和業(yè)內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)。

它不僅可以求解內(nèi)部場(chǎng)問(wèn)題,還可以求解外部遠(yuǎn)場(chǎng)的散射問(wèn)題,具有寬頻快速掃描能力,可以直接得到端口的輸入阻抗及S參數(shù),遠(yuǎn)場(chǎng)輻射方向圖等參數(shù)。

在HFSS中建立雙層微帶陣列天線單元的仿真模型的結(jié)構(gòu)。

在手動(dòng)模式和自動(dòng)順序轉(zhuǎn)換模式下,主機(jī)只需啟動(dòng)所選模擬輸入通道的第一次轉(zhuǎn)換;任何剩余的轉(zhuǎn)換都是在內(nèi)部生成的.完成平均操作所需的時(shí)間(tAVG)由采樣速度和要平均的樣本數(shù)決定,完成后,可以讀出平均的 20 位結(jié)果。

使用低 ESR 電容器以獲得最佳性能。 陶瓷電容器是首選,但鉭或低 ESR 電解電容器也可能足夠。由于輸入電容器 (C1) 吸收輸入開(kāi)關(guān)電流,因此需要足夠的紋波電流額定值。

充電電流是可編程,并可動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)至高達(dá)2A;電源電路集成到芯片上以節(jié)省電路板空間。

(素材來(lái)源:eccn和21ic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

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對(duì)于仿真優(yōu)化模型中各貼片尺寸及耦合間距,當(dāng)下層尺寸w為5.2mm時(shí),上層尺寸s為5mm,耦合間距t為3mm時(shí),遠(yuǎn)場(chǎng)增益為6.8dB,帶寬為500MHz。

由以上的雙層微帶陣列天線單元的各尺寸為基礎(chǔ),建立雙層2X2陣列天線的模型并仿真優(yōu)化,相應(yīng)各饋線阻抗的計(jì)算方式采用帶狀線阻抗計(jì)算方式,以利于陣列天線的阻抗匹配設(shè)計(jì)。

它能夠計(jì)算任意形狀無(wú)源結(jié)構(gòu)的電磁場(chǎng)問(wèn)題,并以其無(wú)可媲美的仿真精準(zhǔn)度和可靠性、迅捷的仿真速度、易于上手的操作界面、成熟可靠的自適應(yīng)網(wǎng)格剖分技術(shù),成為了業(yè)內(nèi)三維電磁仿真的首選軟件和業(yè)內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)。

它不僅可以求解內(nèi)部場(chǎng)問(wèn)題,還可以求解外部遠(yuǎn)場(chǎng)的散射問(wèn)題,具有寬頻快速掃描能力,可以直接得到端口的輸入阻抗及S參數(shù),遠(yuǎn)場(chǎng)輻射方向圖等參數(shù)。

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使用低 ESR 電容器以獲得最佳性能。 陶瓷電容器是首選,但鉭或低 ESR 電解電容器也可能足夠。由于輸入電容器 (C1) 吸收輸入開(kāi)關(guān)電流,因此需要足夠的紋波電流額定值。

充電電流是可編程,并可動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)至高達(dá)2A;電源電路集成到芯片上以節(jié)省電路板空間。

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