雙層微帶陣列天線單元尺寸得到端口的輸入阻抗及S參數(shù)
發(fā)布時(shí)間:2021/12/25 17:39:27 訪問(wèn)次數(shù):722
優(yōu)化2X2陣列天線的陣元間距及各饋線尺寸,可以得到最佳的天線各參數(shù)性能。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),當(dāng)陣元y方向間距為22mm,x方向間距為20mm時(shí),遠(yuǎn)場(chǎng)增益和阻抗匹配設(shè)計(jì)得到最佳。
對(duì)于仿真優(yōu)化模型中各貼片尺寸及耦合間距,當(dāng)下層尺寸w為5.2mm時(shí),上層尺寸s為5mm,耦合間距t為3mm時(shí),遠(yuǎn)場(chǎng)增益為6.8dB,帶寬為500MHz。
由以上的雙層微帶陣列天線單元的各尺寸為基礎(chǔ),建立雙層2X2陣列天線的模型并仿真優(yōu)化,相應(yīng)各饋線阻抗的計(jì)算方式采用帶狀線阻抗計(jì)算方式,以利于陣列天線的阻抗匹配設(shè)計(jì)。
它不僅可以求解內(nèi)部場(chǎng)問(wèn)題,還可以求解外部遠(yuǎn)場(chǎng)的散射問(wèn)題,具有寬頻快速掃描能力,可以直接得到端口的輸入阻抗及S參數(shù),遠(yuǎn)場(chǎng)輻射方向圖等參數(shù)。
在HFSS中建立雙層微帶陣列天線單元的仿真模型的結(jié)構(gòu)。
使用低 ESR 電容器以獲得最佳性能。 陶瓷電容器是首選,但鉭或低 ESR 電解電容器也可能足夠。由于輸入電容器 (C1) 吸收輸入開(kāi)關(guān)電流,因此需要足夠的紋波電流額定值。
充電電流是可編程,并可動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)至高達(dá)2A;電源電路集成到芯片上以節(jié)省電路板空間。
(素材來(lái)源:eccn和21ic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
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對(duì)于仿真優(yōu)化模型中各貼片尺寸及耦合間距,當(dāng)下層尺寸w為5.2mm時(shí),上層尺寸s為5mm,耦合間距t為3mm時(shí),遠(yuǎn)場(chǎng)增益為6.8dB,帶寬為500MHz。
由以上的雙層微帶陣列天線單元的各尺寸為基礎(chǔ),建立雙層2X2陣列天線的模型并仿真優(yōu)化,相應(yīng)各饋線阻抗的計(jì)算方式采用帶狀線阻抗計(jì)算方式,以利于陣列天線的阻抗匹配設(shè)計(jì)。
它不僅可以求解內(nèi)部場(chǎng)問(wèn)題,還可以求解外部遠(yuǎn)場(chǎng)的散射問(wèn)題,具有寬頻快速掃描能力,可以直接得到端口的輸入阻抗及S參數(shù),遠(yuǎn)場(chǎng)輻射方向圖等參數(shù)。
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充電電流是可編程,并可動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)至高達(dá)2A;電源電路集成到芯片上以節(jié)省電路板空間。
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