IGBT進行電子換向以實現(xiàn)交流感應電機所需的正弦電流
發(fā)布時間:2021/12/25 17:49:14 訪問次數(shù):947
LT3650-8.2 的 1MHz 高工作頻率和電流模式架構允許使用小型電感器和電容器,從而最大限度地降低噪聲和濾波需求。
最終浮動電壓準確度規(guī)定為±0.5%,充電電流準確度為±5%,C/10檢測準確度為±2.5%。
LT3650-8.2 在所有非充電周期最大限度地延長了電池壽命,電池消耗不到1uA.就安全和自主充電控制而言,LT3650-8.2具有諸如自動重啟動和預查驗、一個熱敏電阻輸入用于溫度合格的充電、可編程輸入電流限制、壞電池檢測和二進制編碼狀態(tài)輸出引腳等功能。
NAND閃存制造商必須要面對市場對高存儲密度低成本的需求。Toshiba和SanDisk已經(jīng)通過應用其創(chuàng)新技術做出了積極的響應。
3位/單元32nm技術時代的器件為其行地址解碼器和擴展的列結構采用最優(yōu)化的電路設計，做到了尺寸僅為113mm2 的芯片，是該技術時代下已達到的最小晶片尺寸。
使用功率級中用于驅(qū)動它們的絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)。典型的總線電壓為 200 V DC至 1,000 V DC。IGBT進行電子換向以實現(xiàn)交流感應電機所需的正弦電流。
光電隔離柵極驅(qū)動器已成功用于驅(qū)動IGBT并提供電流安全隔離。光電隔離柵極驅(qū)動器的輸入級包含單個鋁砷化鎵 (AlGaAs) LED。
通過雙層微帶2X2陣列天線的測試結果可以看出,天線的阻抗匹配帶寬已有了明顯的擴展，且組陣增益達到了10.7dB，與仿真值接近，軸比為4dB，符合圓極化要求。
(素材來源：eccn和21ic.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝）
LT3650-8.2 的 1MHz 高工作頻率和電流模式架構允許使用小型電感器和電容器,從而最大限度地降低噪聲和濾波需求。
最終浮動電壓準確度規(guī)定為±0.5%,充電電流準確度為±5%,C/10檢測準確度為±2.5%。
LT3650-8.2 在所有非充電周期最大限度地延長了電池壽命,電池消耗不到1uA.就安全和自主充電控制而言,LT3650-8.2具有諸如自動重啟動和預查驗、一個熱敏電阻輸入用于溫度合格的充電、可編程輸入電流限制、壞電池檢測和二進制編碼狀態(tài)輸出引腳等功能。
NAND閃存制造商必須要面對市場對高存儲密度低成本的需求。Toshiba和SanDisk已經(jīng)通過應用其創(chuàng)新技術做出了積極的響應。
3位/單元32nm技術時代的器件為其行地址解碼器和擴展的列結構采用最優(yōu)化的電路設計，做到了尺寸僅為113mm2 的芯片，是該技術時代下已達到的最小晶片尺寸。
使用功率級中用于驅(qū)動它們的絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)。典型的總線電壓為 200 V DC至 1,000 V DC。IGBT進行電子換向以實現(xiàn)交流感應電機所需的正弦電流。
光電隔離柵極驅(qū)動器已成功用于驅(qū)動IGBT并提供電流安全隔離。光電隔離柵極驅(qū)動器的輸入級包含單個鋁砷化鎵 (AlGaAs) LED。
通過雙層微帶2X2陣列天線的測試結果可以看出,天線的阻抗匹配帶寬已有了明顯的擴展，且組陣增益達到了10.7dB，與仿真值接近，軸比為4dB，符合圓極化要求。
(素材來源：eccn和21ic.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝）
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