LPWAN功能進行補缺振蕩器頻率125kHz上升到135kHz
發(fā)布時間:2022/1/9 16:00:18 訪問次數(shù):720
最新一代工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)的特點就是大規(guī)模自動化,這得益于互連和數(shù)據(jù)分析方面的進步。
為實現(xiàn)工業(yè)設(shè)備的精準數(shù)據(jù)采集,工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)需要更加高效的物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)。針對工廠復(fù)雜環(huán)境,相比Wi-Fi,LoRa,NB-IoT等,ZETA SDR網(wǎng)關(guān)的穿透性更強,功耗,成本更低,具有高接收靈敏度和抗干擾性。
ZETA SDR網(wǎng)關(guān)在低功耗的基礎(chǔ)之上可滿足工業(yè)大型設(shè)備較大數(shù)據(jù)的回傳需求,比如小視頻監(jiān)控的回傳,對傳統(tǒng)的LPWAN功能進行了補缺。
據(jù)實地測試結(jié)果顯示,ZETA SDR網(wǎng)關(guān)在20000bps速率下,實現(xiàn)-120dBm靈敏度。
電流累加
0.247mAhr LSB
±8.1Ahrs滿量程范圍
標準的IC接口,提供由工廠設(shè)置的從地址
2.5V至4.5V單電源供電
低功耗:
工作電流為60A (典型)
休眠模式下電流僅為1A (典型)
-20℃至+70℃工作溫度范圍
14引腳TDFN封裝(3mm x 3mm x 0.8mm)
在VC1從4.1 V降到1.8V的過程中,振蕩器的頻率將從125kHz上升到135kHz。當VC1下降到1.8V后,它又會緩慢上升到4.1V,同時使IZDQ逐漸減小,所以,振蕩器的頻率將從135kHz降到125kHz。
使用TSMC 0.50 μm CMOS工藝庫對信號轉(zhuǎn)換電路進行HSPICE仿真的仿真波形。
軟啟動時的功率管柵信號波形,當VC1在1V時,功率管柵信號頻率在30kHz左右,此時芯片工作在低頻PWM模式.
隨著VC1逐漸上升,當VC1在1.7V時,功率管柵信號的頻率在69kHz左右,此時芯片工作在PFM模式.

(素材來源:21ic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
最新一代工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)的特點就是大規(guī)模自動化,這得益于互連和數(shù)據(jù)分析方面的進步。
為實現(xiàn)工業(yè)設(shè)備的精準數(shù)據(jù)采集,工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)需要更加高效的物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)。針對工廠復(fù)雜環(huán)境,相比Wi-Fi,LoRa,NB-IoT等,ZETA SDR網(wǎng)關(guān)的穿透性更強,功耗,成本更低,具有高接收靈敏度和抗干擾性。
ZETA SDR網(wǎng)關(guān)在低功耗的基礎(chǔ)之上可滿足工業(yè)大型設(shè)備較大數(shù)據(jù)的回傳需求,比如小視頻監(jiān)控的回傳,對傳統(tǒng)的LPWAN功能進行了補缺。
據(jù)實地測試結(jié)果顯示,ZETA SDR網(wǎng)關(guān)在20000bps速率下,實現(xiàn)-120dBm靈敏度。
電流累加
0.247mAhr LSB
±8.1Ahrs滿量程范圍
標準的IC接口,提供由工廠設(shè)置的從地址
2.5V至4.5V單電源供電
低功耗:
工作電流為60A (典型)
休眠模式下電流僅為1A (典型)
-20℃至+70℃工作溫度范圍
14引腳TDFN封裝(3mm x 3mm x 0.8mm)
在VC1從4.1 V降到1.8V的過程中,振蕩器的頻率將從125kHz上升到135kHz。當VC1下降到1.8V后,它又會緩慢上升到4.1V,同時使IZDQ逐漸減小,所以,振蕩器的頻率將從135kHz降到125kHz。
使用TSMC 0.50 μm CMOS工藝庫對信號轉(zhuǎn)換電路進行HSPICE仿真的仿真波形。
軟啟動時的功率管柵信號波形,當VC1在1V時,功率管柵信號頻率在30kHz左右,此時芯片工作在低頻PWM模式.
隨著VC1逐漸上升,當VC1在1.7V時,功率管柵信號的頻率在69kHz左右,此時芯片工作在PFM模式.

(素材來源:21ic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)