幀長(zhǎng)度檢測(cè)和SPI配置外部端需接電阻經(jīng)受住-14V到6V電壓
發(fā)布時(shí)間:2022/1/19 12:35:17 訪問(wèn)次數(shù):1045
65納米線寬的Quad Data Rate (QDR) 和Double Data Rate (DDR) SRAM器件樣品。
新推出的72-Mbit QDRII、QDRII+、DDRII和DDRII+存儲(chǔ)器采用了賽普拉斯合作伙伴制造商 UMC 開(kāi)發(fā)的工藝技術(shù)。
QDRII+和DDRII+器件具有片內(nèi)終結(jié)電阻器 (ODT)，消除了外部端需接電阻的要求，因而可提高信號(hào)的完整性，降低系統(tǒng)成本，節(jié)約板上空間。65納米產(chǎn)品采用的是鎖相環(huán)路 (PLL) 而非延遲鎖相環(huán) (DLL) 技術(shù)，其可使數(shù)據(jù)有效窗口擴(kuò)展35%，以幫助客戶縮短開(kāi)發(fā)時(shí)間、節(jié)約開(kāi)發(fā)成本。
32位失調(diào)幀SPI從接口實(shí)現(xiàn)L9908和uC間通信,速率高達(dá)10MHz.SPI通信有5位CRC,1位幀計(jì)數(shù)器,幀長(zhǎng)度檢測(cè)和SPI配置的視窗看門(mén)狗等安全保證.器件滿足AEC-Q100資質(zhì),完全和 ISO26262兼容, ASIL-D系統(tǒng)就緒.從VDD引腳的5V電壓產(chǎn)生3.3V內(nèi)部電源.
工作在單12V系統(tǒng),雙(24V系統(tǒng))和48V電池應(yīng)用,VDH馬達(dá)電源范圍從4.5V到75V.SPI可調(diào)整增益系數(shù)和輸出失調(diào),內(nèi)置了誤差校準(zhǔn),輸入檢測(cè)引腳能經(jīng)受住-14V到6V電壓.
對(duì)于功率模塊晶圓，從長(zhǎng)期供應(yīng)安全考慮，比亞迪半導(dǎo)體采取自制晶圓為主，代工和外購(gòu)為輔的整體策略,2018-2020年、2021年1-6月其晶圓產(chǎn)能利用率分別為78.61%、49.54%、32.33%和64.05%。
其他技術(shù)根本無(wú)法實(shí)現(xiàn)BrainChip解決方案可以提供的超低功耗自主、增量學(xué)習(xí)等特點(diǎn)。將這些芯片交到盡可能多的人手中是下一代人工智能成為現(xiàn)實(shí)的方式。BrainChip還將向系統(tǒng)集成商和開(kāi)發(fā)人員提供完整的PCIe設(shè)計(jì)布局文件和材料清單 (BOM)，使他們能夠構(gòu)建自己的電路板并利用AKD1000芯片作為獨(dú)立嵌入式加速器或協(xié)處理器量產(chǎn)。
(素材來(lái)源：轉(zhuǎn)載自網(wǎng)絡(luò),如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除,特別感謝）
65納米線寬的Quad Data Rate (QDR) 和Double Data Rate (DDR) SRAM器件樣品。
新推出的72-Mbit QDRII、QDRII+、DDRII和DDRII+存儲(chǔ)器采用了賽普拉斯合作伙伴制造商 UMC 開(kāi)發(fā)的工藝技術(shù)。
QDRII+和DDRII+器件具有片內(nèi)終結(jié)電阻器 (ODT)，消除了外部端需接電阻的要求，因而可提高信號(hào)的完整性，降低系統(tǒng)成本，節(jié)約板上空間。65納米產(chǎn)品采用的是鎖相環(huán)路 (PLL) 而非延遲鎖相環(huán) (DLL) 技術(shù)，其可使數(shù)據(jù)有效窗口擴(kuò)展35%，以幫助客戶縮短開(kāi)發(fā)時(shí)間、節(jié)約開(kāi)發(fā)成本。
32位失調(diào)幀SPI從接口實(shí)現(xiàn)L9908和uC間通信,速率高達(dá)10MHz.SPI通信有5位CRC,1位幀計(jì)數(shù)器,幀長(zhǎng)度檢測(cè)和SPI配置的視窗看門(mén)狗等安全保證.器件滿足AEC-Q100資質(zhì),完全和 ISO26262兼容, ASIL-D系統(tǒng)就緒.從VDD引腳的5V電壓產(chǎn)生3.3V內(nèi)部電源.
工作在單12V系統(tǒng),雙(24V系統(tǒng))和48V電池應(yīng)用,VDH馬達(dá)電源范圍從4.5V到75V.SPI可調(diào)整增益系數(shù)和輸出失調(diào),內(nèi)置了誤差校準(zhǔn),輸入檢測(cè)引腳能經(jīng)受住-14V到6V電壓.
對(duì)于功率模塊晶圓，從長(zhǎng)期供應(yīng)安全考慮，比亞迪半導(dǎo)體采取自制晶圓為主，代工和外購(gòu)為輔的整體策略,2018-2020年、2021年1-6月其晶圓產(chǎn)能利用率分別為78.61%、49.54%、32.33%和64.05%。
其他技術(shù)根本無(wú)法實(shí)現(xiàn)BrainChip解決方案可以提供的超低功耗自主、增量學(xué)習(xí)等特點(diǎn)。將這些芯片交到盡可能多的人手中是下一代人工智能成為現(xiàn)實(shí)的方式。BrainChip還將向系統(tǒng)集成商和開(kāi)發(fā)人員提供完整的PCIe設(shè)計(jì)布局文件和材料清單 (BOM)，使他們能夠構(gòu)建自己的電路板并利用AKD1000芯片作為獨(dú)立嵌入式加速器或協(xié)處理器量產(chǎn)。
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