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電池在溫度范圍內(nèi)進(jìn)行充放電電解液ASIC和ASSP解決方案

發(fā)布時(shí)間:2022/1/23 17:06:44 訪問次數(shù):747

FPGA前端設(shè)計(jì)方法,每百萬ASIC邏輯門價(jià)格低至15美金。HardCopy® II結(jié)構(gòu)化ASIC構(gòu)建在新的精細(xì)粒度體系結(jié)構(gòu)上,面向低成本設(shè)計(jì),使邏輯門密度、性能和低功耗達(dá)到了更高的水平,在很多領(lǐng)域內(nèi),是ASIC和ASSP的最佳解決方案。

HardCopy II器件實(shí)現(xiàn)最大220萬ASIC邏輯門,880萬比特RAM和超過350MHz系統(tǒng)性能。

HardCopy II系列價(jià)格、密度和性能優(yōu)勢(shì)將擴(kuò)展Altera在有線/無線通信、存儲(chǔ)、數(shù)字消費(fèi)、工業(yè)和軍事領(lǐng)域的市場(chǎng)份額,這些市場(chǎng)也是Altera結(jié)構(gòu)化ASIC方案成功應(yīng)用的領(lǐng)域。

SiP工藝是將不同功能的芯片(如存儲(chǔ)器,CPU等)集成在一個(gè)封裝模塊(package)里。

手機(jī)是目前主流的需求領(lǐng)域,隨著手機(jī)短小輕薄電發(fā)展趨勢(shì),對(duì)于內(nèi)部電子元器件尺寸提出更高的要求,因此SiP封裝技術(shù)成為主流。

簡(jiǎn)化了DVD刻錄機(jī)的使用,現(xiàn)在消費(fèi)者可以不必?fù)?dān)心格式標(biāo)準(zhǔn)不同而帶來的不便。2004年歲末,我們推出了支持在+R/RW和–R/RW媒體軟件上刻錄和重放的軟件。

在+R/RW和–R/RW媒體軟件和標(biāo)準(zhǔn)格式光盤上刻錄/重放數(shù)字視頻內(nèi)容成為現(xiàn)實(shí)。

超低驅(qū)動(dòng)電壓白光OLED技術(shù),超高水氧阻隔性薄膜封裝技術(shù)以及高可靠性透明柔性電極技術(shù)取得突破。

鋰離子電池存在的電解液在低溫下凝固和高溫下?lián)]發(fā)的原因限制了電動(dòng)汽車在北方,特別是東北地區(qū)的使用。因此我們重點(diǎn)開發(fā)了一種可以讓電池在較寬溫度范圍內(nèi)進(jìn)行充放電的電解液。

傳統(tǒng)光伏器件電子傳輸層的進(jìn)一步優(yōu)化,使得基于SrTiO3的量子點(diǎn)敏化、鈣鈦礦電池效率達(dá)到6%和21%以上,且具有較高的開路電壓。

該產(chǎn)品如實(shí)際生產(chǎn)將推動(dòng)光伏產(chǎn)值提升20%以上。

(素材來源:轉(zhuǎn)載自網(wǎng)絡(luò),如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除,特別感謝)

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SiP工藝是將不同功能的芯片(如存儲(chǔ)器,CPU等)集成在一個(gè)封裝模塊(package)里。

手機(jī)是目前主流的需求領(lǐng)域,隨著手機(jī)短小輕薄電發(fā)展趨勢(shì),對(duì)于內(nèi)部電子元器件尺寸提出更高的要求,因此SiP封裝技術(shù)成為主流。

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在+R/RW和–R/RW媒體軟件和標(biāo)準(zhǔn)格式光盤上刻錄/重放數(shù)字視頻內(nèi)容成為現(xiàn)實(shí)。

超低驅(qū)動(dòng)電壓白光OLED技術(shù),超高水氧阻隔性薄膜封裝技術(shù)以及高可靠性透明柔性電極技術(shù)取得突破。

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傳統(tǒng)光伏器件電子傳輸層的進(jìn)一步優(yōu)化,使得基于SrTiO3的量子點(diǎn)敏化、鈣鈦礦電池效率達(dá)到6%和21%以上,且具有較高的開路電壓。

該產(chǎn)品如實(shí)際生產(chǎn)將推動(dòng)光伏產(chǎn)值提升20%以上。

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