60Ω(典型值)的線路microSD接口規(guī)格使總電容負(fù)載40pF
發(fā)布時(shí)間:2022/2/8 21:48:50 訪問(wèn)次數(shù):96
特定應(yīng)用microSD接口,基于電感器的濾波器解決方案提供可用的最高數(shù)字信號(hào)完整性。
CM1624能夠支持高達(dá)96MHz的時(shí)鐘頻率、5nSec的上升/下降時(shí)間以及從700MHz到3GHz范圍的高水平衰減。
電容有限情況下的EMI濾波,隨著用于生產(chǎn)基帶和應(yīng)用處理器的工藝幾何轉(zhuǎn)向日益縮小的規(guī)模,系統(tǒng)工作電壓也變得更低,因此數(shù)據(jù)線上的電容負(fù)載量成為手機(jī)設(shè)計(jì)人員面臨的主要問(wèn)題。
microSD接口規(guī)格使得總電容負(fù)載達(dá)到40pF,而傳統(tǒng)的濾波器架構(gòu)占據(jù)了有限的設(shè)計(jì)空間的大部分。
CM1624-08DE特征
工作電壓下極低的線路電容 (12pF)
卓越的信號(hào)完整性,5nSec的上升時(shí)間,50ohms環(huán)境中75MHz時(shí)鐘頻率
所有端口上業(yè)界領(lǐng)先的 >15kV接觸ESD保護(hù)
完美匹配microSD接口的特定應(yīng)用、統(tǒng)包解決方案,包括整合式上拉電阻
鉗位電壓額定值為±30kV,可防止被保護(hù)器件在受到ESD脈沖時(shí)損壞。
VEMI256A-SD2已通過(guò)IEC 61000-4-2測(cè)試,符合ESD抗擾度要求,接觸放電和空氣放電的額定值均為±25kV。該濾波器還具有60MHz(典型值)的截止頻率、60Ω(典型值)的線路阻抗和40°C至+150°C的工作溫度范圍。
(素材來(lái)源:轉(zhuǎn)載自網(wǎng)絡(luò),如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除,特別感謝)
特定應(yīng)用microSD接口,基于電感器的濾波器解決方案提供可用的最高數(shù)字信號(hào)完整性。
CM1624能夠支持高達(dá)96MHz的時(shí)鐘頻率、5nSec的上升/下降時(shí)間以及從700MHz到3GHz范圍的高水平衰減。
電容有限情況下的EMI濾波,隨著用于生產(chǎn)基帶和應(yīng)用處理器的工藝幾何轉(zhuǎn)向日益縮小的規(guī)模,系統(tǒng)工作電壓也變得更低,因此數(shù)據(jù)線上的電容負(fù)載量成為手機(jī)設(shè)計(jì)人員面臨的主要問(wèn)題。
microSD接口規(guī)格使得總電容負(fù)載達(dá)到40pF,而傳統(tǒng)的濾波器架構(gòu)占據(jù)了有限的設(shè)計(jì)空間的大部分。
CM1624-08DE特征
工作電壓下極低的線路電容 (12pF)
卓越的信號(hào)完整性,5nSec的上升時(shí)間,50ohms環(huán)境中75MHz時(shí)鐘頻率
所有端口上業(yè)界領(lǐng)先的 >15kV接觸ESD保護(hù)
完美匹配microSD接口的特定應(yīng)用、統(tǒng)包解決方案,包括整合式上拉電阻
鉗位電壓額定值為±30kV,可防止被保護(hù)器件在受到ESD脈沖時(shí)損壞。
VEMI256A-SD2已通過(guò)IEC 61000-4-2測(cè)試,符合ESD抗擾度要求,接觸放電和空氣放電的額定值均為±25kV。該濾波器還具有60MHz(典型值)的截止頻率、60Ω(典型值)的線路阻抗和40°C至+150°C的工作溫度范圍。
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