被測(cè)電路板的低輻射性能是IC輻射性能和布局考慮相結(jié)合的結(jié)果。

即使采用低輻射單片IC，也必須慎重處理布局，同時(shí)還要考慮到關(guān)鍵輻射元件的安裝。為了證明這一點(diǎn)，我們考察了LT8386演示電路的主電感L1的方向?qū)﹄娐钒宓挠绊?/span>。

在這種情況下，電感制造商Coilcraft規(guī)定元件上方標(biāo)記有白線的為XAL6060系列電感的短端子。

EMI室中的標(biāo)準(zhǔn)CISPR 25傳導(dǎo)發(fā)射(CE)和輻射發(fā)射(RE)測(cè)試表明，該電感的放置方向會(huì)嚴(yán)重影響性能。

耐輻射、QLS1046-4GB計(jì)算密集型微處理器引入了數(shù)據(jù)路徑加速架構(gòu)(DPAA)， 以提高數(shù)據(jù)包解析、隊(duì)列管理、硬件緩沖區(qū)管理和加密，支持IEEE 1588精確時(shí)間協(xié)議。自2020年以來，Xilinx的XQRKU060也改善了信息流和吞吐量，優(yōu)化了數(shù)據(jù)路徑、I/O和內(nèi)存接口以降低延遲。

對(duì)于以綠色顯示的FPGAs/MPSoCs，標(biāo)稱的性能是基于資源數(shù)和時(shí)鐘頻率的理論峰值。實(shí)際的計(jì)算水平將會(huì)更低，這取決于其使用和實(shí)現(xiàn)方式、內(nèi)存和I/O使用情況。軟核、RISC CPU在內(nèi)的有用的比較信息。KU060和Versal器件的高度并行特性反映在它們較大的TOPS值上。

對(duì)于雙轉(zhuǎn)子軸流式壓氣機(jī),加速時(shí)高壓轉(zhuǎn)子容易進(jìn)人喘振區(qū);減速時(shí)低壓轉(zhuǎn)子容易進(jìn)入喘振區(qū),這是因?yàn)楦邏恨D(zhuǎn)子比低壓轉(zhuǎn)子輕,狀態(tài)變化時(shí),響應(yīng)比低壓轉(zhuǎn)子快。

系統(tǒng)在空載和負(fù)載狀態(tài)時(shí)的增益分貝數(shù)201gk、各轉(zhuǎn)折頻率(k、l、ωsp)、增益交接頻率ωc、相位延遲%、相位裕度℃和幅值穩(wěn)定裕度KG系統(tǒng)的幅頻、相頻及穩(wěn)定性有關(guān)數(shù)據(jù).