GAA是一種新型的環(huán)繞柵極晶體管，通過(guò)使用納米片設(shè)備制造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多橋-通道場(chǎng)效應(yīng)管），該技術(shù)可以顯著增強(qiáng)晶體管性能，主要取代FinFET晶體管技術(shù)。

與7nm制造工藝相比，3nm GAA技術(shù)的邏輯面積效率提高了45%以上，功耗降低了50%，性能提高了約35%，紙面參數(shù)上來(lái)說(shuō)卻是要優(yōu)于臺(tái)積電3nm FinFET工藝。

三星的3nm工藝挑戰(zhàn)也不少，光是量產(chǎn)就是個(gè)問(wèn)題，之前三星宣傳2021年就量產(chǎn)，實(shí)際上并沒(méi)有，最快也是今年，而且首發(fā)的是3GAE低功耗工藝，高性能的3GAP工藝至少要2023年了。

選擇熱電偶補(bǔ)償導(dǎo)線時(shí)要知道熱電偶補(bǔ)償導(dǎo)線所處的環(huán)境溫度及現(xiàn)場(chǎng)工礦狀況，根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)環(huán)境溫度情況選擇合適的補(bǔ)償導(dǎo)線護(hù)套，一般環(huán)境溫度在-25～105℃時(shí)選擇聚氟乙烯護(hù)套，環(huán)境溫度在-60～205℃時(shí)選擇聚全氟乙烯作為補(bǔ)償導(dǎo)線的護(hù)套.

在-60～260℃時(shí)則選擇聚四氟乙烯作為熱電偶補(bǔ)償導(dǎo)線的護(hù)套。

在D2導(dǎo)通的半周內(nèi),通過(guò)A2的復(fù)合實(shí)現(xiàn)A1的負(fù)反饋,對(duì)有些運(yùn)放會(huì)出現(xiàn)自激. 有的兩個(gè)半波的輸入阻抗不相等,對(duì)信號(hào)源要求較高.

兩個(gè)單運(yùn)放型雖然可以實(shí)現(xiàn)整流的目的,但是輸入\輸出特性都很差.需要輸入\輸出都加跟隨器或同相放大器隔離.

各個(gè)電路都有其設(shè)計(jì)特色,希望我們能從其電路的巧妙設(shè)計(jì)中,吸取有用的.例如單電源全波電路的設(shè)計(jì),復(fù)合反饋電路的設(shè)計(jì),都是很有用的設(shè)計(jì)思想和方法,如果能把各個(gè)圖的電路原理分析并且推導(dǎo)每個(gè)公式,會(huì)有受益的.