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測量輸出電壓u≈6V熱敏元件高速光收發(fā)器的大規(guī)模應(yīng)用

發(fā)布時間:2022/3/22 12:39:29 訪問次數(shù):252



絕緣體上硅(SOI)襯底技術(shù)一直是硅光子集成電路的重要基石。SOI 不僅助力硅光子在數(shù)據(jù)中心互連領(lǐng)域獲得商業(yè)成功,也助推了高速光收發(fā)器的大規(guī)模應(yīng)用。

例如,面向消費者的醫(yī)療保健監(jiān)測設(shè)備的傳感、基于激光雷達(LiDAR)的圖像傳感器,以及光學(xué)量子計算和光神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)基于光子學(xué)的新型計算架構(gòu),包括光神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)和量子信息處理.

為了滿足新應(yīng)用不斷變化需求,Photonics-SOI優(yōu)化襯底設(shè)計以及Smart-Cut™工藝不斷演進,以解決大批量制造,良率,成本效益等問題。

調(diào)試及故障處理:

認真檢查電路板,確認無誤后通電。

用萬用表交流電壓擋測量變壓器二次側(cè)應(yīng)約為10Ⅴ,用直流電壓擋測量電容器C1兩端電壓應(yīng)約為12V,測量輸出電壓u≈6V。

若測量出C1兩端電壓為9Ⅴ左右,可能是C1開路或整流橋有二極管開路。切斷電源,逐一檢查排除。

測量C1電壓正常,若調(diào)整管Ⅴ5的集電極與發(fā)射極之間電壓接近零或接近C1兩端電壓。有可能是Ⅴ5已損壞。測量穩(wěn)壓管Ⅴ6兩端電壓為零,可能是穩(wěn)壓管接反或穩(wěn)壓管被擊穿串聯(lián)型穩(wěn)壓電路.

如果損傷不超過可以接受的限制,損傷區(qū)域可再修復(fù)的話,能夠繼續(xù)使用。風(fēng)扇葉片損傷有很多事例,典型的表面損傷有壓坑、劃傷。維護手冊中有損傷深度、損傷長度和按葉片允許的總損壞規(guī)定。


葉片損傷在限制之內(nèi),可以修復(fù),該過程稱為打磨。葉片打磨是發(fā)動機在飛機上進行的一種修理方法。葉片受到損傷,在機上打磨,由孔探儀配合,磨掉少量的損傷再修其輪廓后可繼續(xù)使用。

電容器C作濾波用,穩(wěn)壓管JW作限幅用,使電壓不平衡保護電路的輸出信號比較穩(wěn)定,火警保護飛機上的火警保護比較簡單,通常用熱敏元件來敏感發(fā)動機艙內(nèi)的溫度。






絕緣體上硅(SOI)襯底技術(shù)一直是硅光子集成電路的重要基石。SOI 不僅助力硅光子在數(shù)據(jù)中心互連領(lǐng)域獲得商業(yè)成功,也助推了高速光收發(fā)器的大規(guī)模應(yīng)用。

例如,面向消費者的醫(yī)療保健監(jiān)測設(shè)備的傳感、基于激光雷達(LiDAR)的圖像傳感器,以及光學(xué)量子計算和光神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)基于光子學(xué)的新型計算架構(gòu),包括光神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)和量子信息處理.

為了滿足新應(yīng)用不斷變化需求,Photonics-SOI優(yōu)化襯底設(shè)計以及Smart-Cut™工藝不斷演進,以解決大批量制造,良率,成本效益等問題。

調(diào)試及故障處理:

認真檢查電路板,確認無誤后通電。

用萬用表交流電壓擋測量變壓器二次側(cè)應(yīng)約為10Ⅴ,用直流電壓擋測量電容器C1兩端電壓應(yīng)約為12V,測量輸出電壓u≈6V。

若測量出C1兩端電壓為9Ⅴ左右,可能是C1開路或整流橋有二極管開路。切斷電源,逐一檢查排除。

測量C1電壓正常,若調(diào)整管Ⅴ5的集電極與發(fā)射極之間電壓接近零或接近C1兩端電壓。有可能是Ⅴ5已損壞。測量穩(wěn)壓管Ⅴ6兩端電壓為零,可能是穩(wěn)壓管接反或穩(wěn)壓管被擊穿串聯(lián)型穩(wěn)壓電路.

如果損傷不超過可以接受的限制,損傷區(qū)域可再修復(fù)的話,能夠繼續(xù)使用。風(fēng)扇葉片損傷有很多事例,典型的表面損傷有壓坑、劃傷。維護手冊中有損傷深度、損傷長度和按葉片允許的總損壞規(guī)定。


葉片損傷在限制之內(nèi),可以修復(fù),該過程稱為打磨。葉片打磨是發(fā)動機在飛機上進行的一種修理方法。葉片受到損傷,在機上打磨,由孔探儀配合,磨掉少量的損傷再修其輪廓后可繼續(xù)使用。

電容器C作濾波用,穩(wěn)壓管JW作限幅用,使電壓不平衡保護電路的輸出信號比較穩(wěn)定,火警保護飛機上的火警保護比較簡單,通常用熱敏元件來敏感發(fā)動機艙內(nèi)的溫度。




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