3.3V輸入電壓支持30W平均功率負(fù)載和40W峰值功率負(fù)載
發(fā)布時(shí)間:2022/4/6 12:27:15 訪問次數(shù):944
150VN溝道功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)“TPH9R00CQH”。該產(chǎn)品采用最新一代(*1)工藝“U-MOSX-H”,適用于工業(yè)設(shè)備的開關(guān)電源,包括部署在數(shù)據(jù)中心和通信基站的設(shè)備。
TPH9R00CQH的漏極-源極導(dǎo)通電阻比TPH1500CNH低大約42%,后者是一款采用了當(dāng)前U-MOSVIII-H工藝的150V產(chǎn)品。新款MOSFET結(jié)構(gòu)的優(yōu)化改善了漏極-源極導(dǎo)通電阻之間的權(quán)衡(*2)和兩個電荷特性(*3),實(shí)現(xiàn)了優(yōu)異的低損耗特點(diǎn)。
此外,開關(guān)操作時(shí)漏極和源極之間的峰值電壓也有所降低,有助于降低開關(guān)電源的電磁干擾(EMI)。
0.8V 至13V工作輸入電壓(VIN)范圍
3.3V輸入電壓下支持30W的平均功率負(fù)載和40W的峰值功率負(fù)載
外部軟啟動(SS)和補(bǔ)償引腳
可配置欠壓鎖定(UVLO)保護(hù)和遲滯
16.5V過壓保護(hù)(OVP)
150°C過溫保護(hù)(OTP)
采用QFN-15(3mmx4mm)封裝
主板背面有連接顯微鏡鏡頭的FPC排線,鋰電池的供電接口,一些阻容器件,一顆微控制器的32.768kHz的時(shí)鐘。
一塊4.3寸的顯示屏,頂部有MicroSD卡槽,背部則為自帶的充電鋰電池區(qū)域,側(cè)面有復(fù)位按鍵和電子顯微鏡的LED光照強(qiáng)度調(diào)節(jié)旋鈕,屏幕正面底部是一排操作功能按鍵,電子顯微鏡本身可以支持錄像和拍照。
這個電子顯微鏡的基本電路構(gòu)造可以看做4部分:供電的電池,屏幕,顯微鏡鏡頭以及主板。電池采用的是一節(jié)18650規(guī)格的2000mAh可充電鋰電池,配合4.3寸的顯示屏,實(shí)際續(xù)航不咋滴,電池基本上只是應(yīng)急使用,平常使用需要外接電源。
150VN溝道功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)“TPH9R00CQH”。該產(chǎn)品采用最新一代(*1)工藝“U-MOSX-H”,適用于工業(yè)設(shè)備的開關(guān)電源,包括部署在數(shù)據(jù)中心和通信基站的設(shè)備。
TPH9R00CQH的漏極-源極導(dǎo)通電阻比TPH1500CNH低大約42%,后者是一款采用了當(dāng)前U-MOSVIII-H工藝的150V產(chǎn)品。新款MOSFET結(jié)構(gòu)的優(yōu)化改善了漏極-源極導(dǎo)通電阻之間的權(quán)衡(*2)和兩個電荷特性(*3),實(shí)現(xiàn)了優(yōu)異的低損耗特點(diǎn)。
此外,開關(guān)操作時(shí)漏極和源極之間的峰值電壓也有所降低,有助于降低開關(guān)電源的電磁干擾(EMI)。
0.8V 至13V工作輸入電壓(VIN)范圍
3.3V輸入電壓下支持30W的平均功率負(fù)載和40W的峰值功率負(fù)載
外部軟啟動(SS)和補(bǔ)償引腳
可配置欠壓鎖定(UVLO)保護(hù)和遲滯
16.5V過壓保護(hù)(OVP)
150°C過溫保護(hù)(OTP)
采用QFN-15(3mmx4mm)封裝
主板背面有連接顯微鏡鏡頭的FPC排線,鋰電池的供電接口,一些阻容器件,一顆微控制器的32.768kHz的時(shí)鐘。
一塊4.3寸的顯示屏,頂部有MicroSD卡槽,背部則為自帶的充電鋰電池區(qū)域,側(cè)面有復(fù)位按鍵和電子顯微鏡的LED光照強(qiáng)度調(diào)節(jié)旋鈕,屏幕正面底部是一排操作功能按鍵,電子顯微鏡本身可以支持錄像和拍照。
這個電子顯微鏡的基本電路構(gòu)造可以看做4部分:供電的電池,屏幕,顯微鏡鏡頭以及主板。電池采用的是一節(jié)18650規(guī)格的2000mAh可充電鋰電池,配合4.3寸的顯示屏,實(shí)際續(xù)航不咋滴,電池基本上只是應(yīng)急使用,平常使用需要外接電源。
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