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功率循環(huán)曲線和基板溫度變化為衡量目標(biāo)的溫度循環(huán)曲線

發(fā)布時間:2022/4/11 12:19:05 訪問次數(shù):713

模塊集成了單片DC/DC變換器、功率電感和其他無源元件,提供了寬輸入電壓范圍和負載范圍內(nèi)的完整電源解決方案,具備出色的負載和線性調(diào)整率。

MPM3690-50D將兩個交錯相位集成在單個一體成型的電源模塊中,并采用MPS獨有的多相恒定導(dǎo)通時間控制模式(MCOT),提供了超快瞬態(tài)響應(yīng)和簡單的環(huán)路補償,并最大限度地減小了輸出電容。其PMBus接口提供靈活的模塊配置和關(guān)鍵參數(shù)監(jiān)測功能。

MPM3690-50D還提供全方位的保護功能,包括過流保護(OCP)、過壓保護(OVP)、欠壓保護(UVP)和過溫保護(OTP)。

IGBT的可靠性通常用以芯片結(jié)溫變化為衡量目標(biāo)的功率循環(huán)曲線和基板溫度變化為衡量目標(biāo)的溫度循環(huán)曲線來評估。

引起IGBT可靠性問題的原因主要是IGBT是由多種膨脹系數(shù)不同的材料焊接在一起,工作過程中溫度的變化會引起結(jié)合點的老化,以及綁定線在工作過程中熱脹冷縮;另外綁定線的成分,綁定工具的形狀、綁定參數(shù)以及芯片的金屬化焊接等因素都會影響IGBT的可靠性。

三相半波可控整流電路大電感負載的電路圖和波形,各時刻工作情況如下.

當(dāng)α>30°時, ud=0.675to[1+Cos(30°+α)]

輸出直流電流平均值:rd=j

晶間管最高反向電壓:uvM=kl=lp%。(I∫^l為變壓器工次線電壓)

晶問管電流平均值:rdv=ufd

帶大電感負載的情況工作情況分析,帶大電感負載時,因電感釋放電流,造成晶間管不能及時關(guān)斷,一直導(dǎo)通到下一相晶間管觸發(fā)導(dǎo)通,使該相晶間管承受反向電壓才關(guān)斷。



模塊集成了單片DC/DC變換器、功率電感和其他無源元件,提供了寬輸入電壓范圍和負載范圍內(nèi)的完整電源解決方案,具備出色的負載和線性調(diào)整率。

MPM3690-50D將兩個交錯相位集成在單個一體成型的電源模塊中,并采用MPS獨有的多相恒定導(dǎo)通時間控制模式(MCOT),提供了超快瞬態(tài)響應(yīng)和簡單的環(huán)路補償,并最大限度地減小了輸出電容。其PMBus接口提供靈活的模塊配置和關(guān)鍵參數(shù)監(jiān)測功能。

MPM3690-50D還提供全方位的保護功能,包括過流保護(OCP)、過壓保護(OVP)、欠壓保護(UVP)和過溫保護(OTP)。

IGBT的可靠性通常用以芯片結(jié)溫變化為衡量目標(biāo)的功率循環(huán)曲線和基板溫度變化為衡量目標(biāo)的溫度循環(huán)曲線來評估。

引起IGBT可靠性問題的原因主要是IGBT是由多種膨脹系數(shù)不同的材料焊接在一起,工作過程中溫度的變化會引起結(jié)合點的老化,以及綁定線在工作過程中熱脹冷縮;另外綁定線的成分,綁定工具的形狀、綁定參數(shù)以及芯片的金屬化焊接等因素都會影響IGBT的可靠性。

三相半波可控整流電路大電感負載的電路圖和波形,各時刻工作情況如下.

當(dāng)α>30°時, ud=0.675to[1+Cos(30°+α)]

輸出直流電流平均值:rd=j

晶間管最高反向電壓:uvM=kl=lp%。(I∫^l為變壓器工次線電壓)

晶問管電流平均值:rdv=ufd

帶大電感負載的情況工作情況分析,帶大電感負載時,因電感釋放電流,造成晶間管不能及時關(guān)斷,一直導(dǎo)通到下一相晶間管觸發(fā)導(dǎo)通,使該相晶間管承受反向電壓才關(guān)斷。



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