電力場(chǎng)效應(yīng)管(MOsFET) 場(chǎng)效應(yīng)管是通過改變電場(chǎng)來控制同體材料導(dǎo)電能力的有源器件,具有體積小、質(zhì)量輕、耗電少、使用壽命長以及輸人阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、抗輻射能力強(qiáng)和制造工藝簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)。根據(jù)結(jié)構(gòu)不同。

場(chǎng)效應(yīng)管分為兩大類:結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(簡(jiǎn)稱J「ET)和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(簡(jiǎn)稱IGFET)。

它屬于電壓控制型元件,其柵極不消耗功率,工作頻率高。但由于元件是靠一種載流子導(dǎo)電的,為單極型器件,囚此元件本身電流容量有限。

與傳統(tǒng)羅茨泵相比，HiLobe®羅茨泵能將維護(hù)和能耗成本降低50%以上。這要得益于高效節(jié)能的驅(qū)動(dòng)裝置和優(yōu)化了泵的轉(zhuǎn)子幾何形狀。此款羅茨泵最大積分泄漏率為1 · 10-6 Pam3/s，極好的密封性使其不再需要?jiǎng)討B(tài)密封，僅需每四年維護(hù)一次，從而降低維護(hù)成本。

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電源模塊設(shè)計(jì)是電子系統(tǒng)性能發(fā)揮的基礎(chǔ)，只有做好系統(tǒng)的電源模塊設(shè)計(jì)之后，才有機(jī)會(huì)去追求性能和穩(wěn)健地實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的所有功能。而電源模塊設(shè)計(jì)極為重要的就是如何選合適的芯片和技術(shù)方案。

通常，根據(jù)電源模塊中各個(gè)支路的情況，確定輸入和輸出電壓差，然后根據(jù)應(yīng)用需求，在效率指標(biāo)、散熱限制、噪聲要求、系統(tǒng)復(fù)雜性和成本等多個(gè)條件約束下，就能選出最合適的電源芯片，然后根據(jù)選定的電源芯片來實(shí)現(xiàn)相應(yīng)的電源轉(zhuǎn)換與分配的功能。