R&S RTO-B6/RTE-B6任意波形和碼型發(fā)生器選件提供兩路模擬和八路數(shù)字通道信號產(chǎn)生。用戶可以通過一體化的示波器操作界面完成對信號輸出的設(shè)置和控制。

內(nèi)置穩(wěn)壓器，以防充電器向手機注入過多電能。為了防止電池過充和燒毀，手機的充電速度從一開始就受到內(nèi)置穩(wěn)壓器的限制，這個限值是預(yù)先設(shè)定的。

快速充電器的性能高于標配設(shè)計，因為盡管快速充電器仍然只能以預(yù)定的最大速度將電能注入手機電池，但它能確保實際上注入盡可能多的電能。

作為u-blox與Ingenu合作開發(fā)的第二代模塊，SARA-S200建立在公司戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系的基礎(chǔ)之上,隨著u-blox的第一個Machine Network模塊NANO‑S100的推出而迅速得到鞏固。

Ingenu的專利RPMA技術(shù)為各種物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用帶來了顯著優(yōu)勢，如：卓越的建筑物內(nèi)部解決方案和AES 128位安全加密技術(shù)。Machine Network具有自適應(yīng)特性，能夠在實際應(yīng)用中實現(xiàn)無干擾操作，展現(xiàn)出最佳性能和可靠性。

隨著SARA-S200的上市，我們將這些卓越特性成功融入到了最受歡迎的SARA系列產(chǎn)品中。

內(nèi)置自適應(yīng)寄生電感補償還最大限度地減少由于封裝的雜散電感在SR MOSFET的體二極管導通，從而提高PSU能效。

該系列有四款器件；電源設(shè)計人員能基于開關(guān)頻率（25kHz至70khz或60kHz至70khz）和與MOSFET有關(guān)的雜散電感水平選擇最適合他們應(yīng)用的型號。范圍適用于采用TO-220、D2PAK、DPAK或PQFN封裝形式的MOSFET。

此外，F(xiàn)AN6248的10.5V高柵極驅(qū)動輸出確保能驅(qū)動這些極寬廣范圍的MOSFET。