二極管、整流管以及低壓和高壓MOSFET供應(yīng)最為緊張，供應(yīng)商對(duì)今年需求增長(zhǎng)估計(jì)不足，其根據(jù)年初預(yù)測(cè)所提供的產(chǎn)能遠(yuǎn)不能滿足市場(chǎng)需求。

由于汽車應(yīng)用帶動(dòng)，很多功率分立器件供應(yīng)商銷售額增速。自然而然，由于工廠產(chǎn)能限制，包括MOSFET、晶閘管和整流管等器件交貨時(shí)間開(kāi)始增加。

晶閘管主要用于工業(yè)應(yīng)用，汽車應(yīng)用中，多用MOSFET和整流管來(lái)替代晶閘管。而且由于技術(shù)陳舊，所以新設(shè)計(jì)中用到晶閘管的機(jī)會(huì)不多，所以晶閘管也出現(xiàn)供應(yīng)緊張的情況讓Eden有些摸不著頭腦。

Intel 14nm低功耗Gemini Lake處理器曝光，CNVi單元首次浮現(xiàn)，也就是Intel將在這顆SoC中集成Wi-Fi、藍(lán)牙和調(diào)制解調(diào)器模塊(3G/LTE)。

Intel稱，集成化的設(shè)計(jì)可以解放出PCIe和USB。

另外，Intel還主力推薦M.2 2230的Wi-Fi模塊形態(tài)，以節(jié)省物理空間。

與傳統(tǒng)的分立式方案相比，該高度集成方案將尺寸減小了一半，靜態(tài)電流降低40%以上，延長(zhǎng)電池壽命。

在設(shè)計(jì)上，該工藝還支持整合電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)和閃存(Flash)的單IP設(shè)計(jì)，把EEPROM的高性能和Flash的面積優(yōu)勢(shì)體現(xiàn)在一顆IP上，相比于兩個(gè)IP的設(shè)計(jì)，大大節(jié)約了面積成本。同時(shí)，采用具有競(jìng)爭(zhēng)力的光罩層數(shù)，三層金屬最少光罩層數(shù)只有19層。

此外，在模擬面積比較大的芯片應(yīng)用領(lǐng)域，95納米單5V電壓工藝亦具有較大的成本優(yōu)勢(shì)。該平臺(tái)在保持良好性能的同時(shí)兼?zhèn)涓呖煽啃�，�?shù)據(jù)保存時(shí)間超過(guò)30年，重復(fù)擦寫次數(shù)超過(guò)50萬(wàn)次。