平面式高壓MOSFET的結(jié)構(gòu)顯示了一種傳統(tǒng)平面式高壓MOSFET的簡單結(jié)構(gòu)。

平面式MOSFET通常具有高單位芯片面積漏源導(dǎo)通電阻，并伴隨相對更高的漏源電阻。使用高單元密度和大管芯尺寸可實(shí)現(xiàn)較低的RDS(on)值。

大單元密度和管芯尺寸還伴隨高柵極和輸出電荷，這會增加開關(guān)損耗和成本。另外還存在對于總硅片電阻能夠達(dá)到多低的限制。器件的總RDS(on)可表示為通道、epi和襯底三個(gè)分量之和：

RDS(on)=Rch+Repi+Rsub

高溫高分子聚合物正溫度系數(shù)(簡稱PPTC)自恢復(fù)保險(xiǎn)絲。 采用1206和1210(3014和3024公制)表面貼片封裝，工作溫度高達(dá)125 ℃，Bourns所設(shè)計(jì)的微型化MF-NSHT與MF-USHT系列是汽車系統(tǒng)的電路保護(hù)首選;優(yōu)異的自恢復(fù)過電流防護(hù)特性也適用于高溫作業(yè)環(huán)境的新一代高密度工業(yè)電路板、電信及消費(fèi)電子產(chǎn)品。

最新的高溫Multifuse®產(chǎn)品采用Bourns 的freeXpansion™制程;此制程可大大縮小封裝的體積、提高維持電流(Ihold)、穩(wěn)定阻值，同時(shí)拉高額定電壓(Vmax)。

在高溫下，MF-NSHT與MF-USHT系列的Ihold可高達(dá)0.50Amps，R1可壓低至1.6Ohms。 

此外，它還可以在商業(yè)市場針對ATM自動取款機(jī)、機(jī)器人吸塵器、打印機(jī)、復(fù)印機(jī)、票務(wù)和售貨機(jī)等應(yīng)用來驅(qū)動無刷直流電機(jī)。

EIA 0805-1812外殼尺寸的擴(kuò)展電容范圍。與以前的產(chǎn)品組合相比，現(xiàn)在電壓額定值為500、630和1000VDC的器件提供的最大電容值平均提高了三倍。

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