“在待機(jī)模式電源所供電流僅毫安或微安，許多應(yīng)用、甚至包括非電池供電系統(tǒng)中的應(yīng)用消耗了電流的絕大部分，”研諾邏輯產(chǎn)品線總監(jiān)bill weiss說(shuō)道�！癮at1162極低的靜態(tài)電流大大降低了系統(tǒng)的待機(jī)電流總消耗，從而提高總功率效率，設(shè)計(jì)者可以更容易通過(guò)綠色認(rèn)證。”

　　全負(fù)載范圍內(nèi)的高效率

　　新款12v降壓轉(zhuǎn)換器運(yùn)行的輸入范圍在4.0v 到13.2v，并提供高達(dá)1.5a的電流。 輸出電壓可固定，也可在0.6v至vin 調(diào)節(jié)。轉(zhuǎn)換效率高達(dá)96% 。一個(gè)組合的脈沖寬度調(diào)控（pwm）/輕負(fù)載模式有利于在全負(fù)載范圍內(nèi)最大限度地提高效率。 運(yùn)行的開(kāi)關(guān)頻率可高達(dá)800 khz， aat1162采用較小的外部組件，從而使整體解決方案尺寸最小。 軟啟動(dòng)可控制輸入浪涌電流，并排除啟動(dòng)時(shí)輸出電壓過(guò)沖。該轉(zhuǎn)換器還帶有過(guò)流保護(hù)和過(guò)熱保護(hù)功能。

　　modularbcd工藝

　　aat1162采用研諾的modularbcd生產(chǎn)工藝技術(shù)。與過(guò)去的傳統(tǒng)線性ic制造或通用數(shù)字cmos制造工藝的不同之處在于，modularbcd處理工藝代表新一代的模擬、電源與混合信號(hào)ic技術(shù)，他們是特別創(chuàng)新的高科技晶圓制造技術(shù)，并為在以前生產(chǎn)dram的晶圓廠中進(jìn)行了優(yōu)化。

　　新工藝令單片的混合信號(hào)及系統(tǒng)芯片無(wú)論在技術(shù)上和經(jīng)濟(jì)上都更加可行，這是因?yàn)樵趩螇K芯片上將完全隔離的、電壓分別為3v、5v和12v的、并帶有高速互補(bǔ)雙極晶體管的cmos器件，與電壓為30v的、強(qiáng)勁的dmos（雙重?cái)U(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體）功率器件集成一體，并無(wú)需采用外延或高溫?cái)U(kuò)散等極復(fù)雜昂貴的工藝。因此，采用modularbcd而生產(chǎn)的器件與傳統(tǒng)工藝生產(chǎn)的器件相比，不僅效率更高、尺寸更小、集成度更高，而且有助于移動(dòng)消費(fèi)電子產(chǎn)品更好的管理電源并延長(zhǎng)電池的使用壽命，這些產(chǎn)品包括手機(jī)、便攜式多媒體播放器、臺(tái)式電腦與手提電腦、數(shù)碼相機(jī)等。

　　aat1162的額定工作溫度范圍是-40至+85℃，采用無(wú)鉛、16引腳、3x4-mm tdfn封裝。訂貨量為1000片時(shí)每片單價(jià)為0.94美元。